一、主营业务

公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。 公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率 器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为主， 并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET （FRMOS）系列产品；在功率 IC 方面，公司产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅 极驱动 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品 布局并进入产业化阶段。

公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的 重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企 业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功 率器件工程技术研究中心”认证。截至本招股说明书签署日，公司已积累了 10 项核心技术，获得 71 项授权专利（其中发明专利 28 项，实用新型专利 43 项， 另有 2 项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书）和 53 项集成电路布 图设计专有权。

凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院） 评选的第十六届（2021 年度）和第十五届（2020 年度）“中国芯”优秀技术创 新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的 第十四届（2019 年度）和第十二届（2017 年度）中国半导体创新产品和技术奖。 公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯 片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。

凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场， 产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，客户包括以晶丰明源、必 易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户，并且 产品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等终端客户所采用。

根据 Omdia 数据，按 2020 年收入规模测算，公司在全球 MOSFET 功率器 件市场份额约为 0.23%。

（二）发行人主要产品及服务情况

1、发行人主要产品及服务介绍

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和 电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。

发行人在功率半导体方面持续进行研发投入，主要产品包括平面 MOSFET 和功率 IC；发行人还为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。

（1）平面 MOSFET

发行人的功率 MOSFET 产品专注于平面技术路线，采用纵向垂直结构，结 合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术，一方面可使终端表面的电场 分布更加均匀，可有效降低终端 Si-SiO2 界面态以及可动离子的影响；另一方面 可缩小终端尺寸，有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合，发行人的 平面 MOSFET 产品有效降低了高温漏电及持续开关动作后击穿电压的跌落，拥 有突出的高温可靠性。发行人的平面 MOSFET 产品覆盖 40V-1500V 电压段，已 形成较为齐全的产品系列，拥有近 500 款不同规格的产品，其产品情况如下：

常规平面 MOSFET 的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二 极管相比，其反向恢复速度较低，反向恢复特性较差。如将其应用在电机控制系统以及半桥、全桥和 LLC 的电源系统中，会导致开关损耗增加，降低系统的 效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率 MOSFET 的安全工作。为了减小 反向恢复导致的开关损耗，常规做法是在平面 MOSFET 上并联一颗 FRED（超 快恢复二极管），但由于 FRED 和 MOSFET 寄生体二极管并联，存在竞争，仍 会有部分电流流过寄生体二极管，为避免这种情况，功率部分的设计和控制都 会变得复杂。针对上述情况，发行人在平面 MOSFET 工艺平台的基础上设计研 发了集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）系列产品。该类产品具有低反向 恢复电荷、反向恢复时间短的特性，形成近 60 款2不同规格产品，其产品情况 如下：

（2）功率 IC

功率 IC 是半导体芯片中模拟芯片的典型代表，可实现功率（电压、电流、 频率）的变换控制与调节，为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。

公司拥有深厚的功率 IC 设计、研发经验。公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40V BCD 等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代 工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优 化产品性能。公司已形成 80 余款功率 IC 产品，并完成了多款功率 IC 所需的 IP 设计与验证。公司的功率 IC 产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 等， 具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低、工作温度 范围宽（-55℃-125℃）等特点。

公司 PWM 控制 IC 主要为隔离式开关电源芯片，主要功能是将输入电压的 振幅转换成宽度一定的脉冲，用于驱动外部功率器件开关，使电源的输出电压 在工作条件变化时保持恒定。公司产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳 位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能，确保系统安全稳 定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。

公司栅极驱动 IC 主要为电机驱动 IC，其能够将电机控制器/MCU 输出的低 压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动 作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈 杂的环境并提高系统效率。公司的驱动 IC 产品包含单相半桥、全桥、三相全桥 产品系列，可满足多种场景的应用要求。

发行人的主要功率 IC 产品如下：

（3）其他 MOSFET 产品

公司 MOSFET 产品正在向沟槽型 MOSFET 和超结 MOSFET 进行延伸，目 前沟槽型 MOSFET 已形成 30V-150V 电压规格的产品系列，超结 MOSFET 已形 成 600V-800V 电压规格的产品系列。

（4）SiC 功率器件

公司 SiC 功率器件产品主要包括 SiC MOSFET 和 SiC SBD（肖特基势垒二 极管），目前公司 SiC MOSFET 已形成 650V-1700V 四个电压规格的产品系列， SiC SBD 已形成 650V-1200V 电压规格的产品系列。SiC SBD 是由金属和碳化硅 材料接触形成的快速恢复肖特基二极管，与 SiC MOSFET 同属于功率器件。

发行人的主要 SiC 功率器件产品如下：

（5）技术服务

公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客 户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客 户，包括产品开发和工艺开发流片两类。

产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标， 委托公司对该产品进行设计开发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户 提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。

工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其 他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发 或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由 客户自行负责。

2、发行人产品形态

发行人基于下游客户的不同需求导向，向其提供多样化的产品系列，对外 销售的产品形态呈现为中测后晶圆、封装成品和裸芯。

3、发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品差异

发行人应用于消费电子领域和高可靠领域的产品应用场景需求不同，使得 发行人应用于两个领域的产品在工艺、技术、生产能力、专利和知识诀窍方面 存在一定差异，具体情况如下：

由上表可见，由于消费电子领域和高可靠领域产品的应用场景需求不同， 导致两类产品存在一定差异。在工艺方面，高可靠领域功率 IC 产品多采用 SOI BCD 工艺，与消费电子领域产品存在差异；高可靠领域的功率器件产品在工艺 实现、参数控制规范方面较消费电子领域产品更加严格；在技术方面，高可靠 领域产品应用的技术较消费电子领域产品更为丰富，多采用高冗余度和高精度 的芯片设计、抗干扰能力更高的版图设计以及半/全桥、正激有源钳位、推挽等 拓扑结构，与消费电子领域产品存在差异；在生产能力方面，高可靠领域产品较消费电子领域产品拥有更为严格的工艺参数控制、晶圆及成品测试规范，并 采用更高质量的封装。另外，在专利和知识诀窍方面，高可靠领域产品较消费 电子产品还应用了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路”“一种半桥驱 动芯片”等功率 IC 相关的专利的知识诀窍。

（三）发行人主营业务收入构成及特征

报告期内，公司主要产品及服务实现的主营业务收入情况如下表所示：

报告期内，公司主营业务收入整体以功率器件为主；在较早布局功率 IC 及 加大客户开拓力度的背景下，近年来，公司功率 IC 的收入快速增长且占主营业 务收入的比例提升明显。

二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况

（一）所属行业及确定所属行业的依据

发行人主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。 根据《中华人民共和国国民经济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行 业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。

三、行业情况

1、半导体行业的发展概况

（1）半导体行业产业链概览

半导体核心产业链主要包括芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节， 产业链中的企业专注于各自优势细分领域，形成了深度专业化分工的格局，企 业既可专注于某一优势环节，也可采用 IDM 模式一体化全覆盖发展。发行人专 注于核心产业链中的芯片设计环节。产业链的上游是为晶圆制造、封装和测试 环节提供所需原材料和相关设备的支撑产业；下游为各类使用半导体产品的终 端应用企业。半导体产业链示意图具体如下：

（2）半导体行业市场规模

根据 WSTS 数据，2021 年全球半导体销售额达 5,559 亿美元，同比增长 26.2%，这是自 2010 年后的最大增幅。同时，WSTS 预计 2022 年全球半导体市 场将继续增长至 6,135 亿美元。

中国半导体行业伴随着中国经济的迅速增长而快速发展，半导体下游应用 市场也在强劲需求的带动下不断增长；同时，国外半导体部分产能向包括中国 在内的亚洲国家转移。受多重利好影响，中国半导体行业迅速发展。根据 WSTS 数据，2021 年中国半导体市场规模已达 1,925 亿美元，占世界半导体市 场的 34.6%，稳居全球第一大市场。

2、功率半导体行业概述

根据《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书（2019 版）》，功率半导 体按器件集成度可以分为功率器件和功率 IC 两大类。功率器件包括二极管、晶 体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场份额最大，常见的晶体管主要包括 MOSFET、IGBT、BJT 等。功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路、外围接 口电路及各种保护电路等集成于同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和 执行部分的桥梁。

（1）功率半导体市场规模

功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功 率半导体的使用。根据 Omdia 的数据及预测，2021 年全球功率半导体市场规模 为 462 亿美元（主要包括功率器件、功率 IC 和功率模组），预计 2024 年将达 到 522 亿美元。

中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、国产化替代加速及资本推动 等因素合力下，取得了长足的进步与发展。根据 Omdia 数据及预测，2021 年中 国功率半导体市场规模为 182 亿美元，预计 2024 年将达 206 亿美元，中国作为 全球最大的功率半导体市场，发展前景十分广阔。

（2）功率器件市场

功率半导体主要可分为功率器件和功率 IC 两大类。根据 Omdia 数据，2020 年全球功率器件市场规模约为 149.82 亿美元。随着各个领域对功率器件的电压 和工作频率要求逐渐提升，能较好满足该需求的 MOSFET 等功率器件产品成为 了功率器件的主流产品。根据 Omdia 数据，2020 年全球 MOSFET 器件市场规 模为 80.8 亿美元，在所有功率器件类别中占比最高，占比达 53.90%，且增速与 功率器件总体增速接近，需求保持稳定增长。

（3）MOSFET 细分市场的情况

① MOSFET 行业总览

MOSFET 全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于模拟 电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化， 可实现开关和信号放大等功能，与双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor， 也称 BJT、三极管）和绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，也 称 IGBT）同属于晶体管领域。MOSFET 具有开关速度快、输入阻抗高、热稳 定性好等特性，应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多 领域。

根据芯谋研究（ICwise）数据，2021 年全球 MOSFET 市场规模为 113.2 亿 美元，预计 2025 年将增长至 150.5 亿美元，年化复合增长率达 7.4%。全球 MOSFET 市场规模预计将保持稳定扩张，市场前景广阔。

2021 年中国 MOSFET 市场规模约为 46.6 亿美元，占全球市场的 41%。预 计 2025 年中国 MOSFET 市场规模将增长至 64.7 亿美元，年化复合增长率为 8.5%，增速高于全球市场增速。

② MOSFET 产品的技术特点

功率器件种类较多，主要包括二极管、三极管（BJT）、晶闸管、MOSFET 和IGBT等。其中，二极管、晶闸管、三极管（BJT）的优点是成本低，生产工 艺相对简单，在中低端领域大量应用；MOSFET、IGBT等器件结构相对复杂， 工艺门槛和生产成本相对较高，系具有较高技术先进性的产品。根据Omdia数 据，2020年全球MOSFET器件市场规模为80.8亿美元，在所有功率器件类别中 占比最高，占比达53.90%，需求保持稳定增长。

MOSFET、BJT（双极型三极管）和 IGBT 同属于功率器件大类下的晶体管 产品，三者技术特性对比具体如下：

由上表可知，与BJT相比，MOSFET可在低电流和低电压条件下工作，也可 用于大电流开关电路和高频高速电路，应用场景更为广泛；MOSFET具有易于 驱动、输入阻抗高、开关速度快、导通内阻小等特点，结构较BJT更为复杂； 部分MOSFET可将源极和漏极互换运用，栅极可正可负，灵活性较BJT更优。 IGBT兼具BJT的高耐压和MOSFET输入阻抗高的特性，适用于高电压、大电流 场合。

综上所述，发行人主要产品MOSFET的开关功耗低、开关速度快，适用于 高频应用场景，技术门槛较高，产品可靠性要求高，是功率器件中技术先进性 较高的产品品类。

③ MOSFET 细分产品情况

根据工作电压划分，以400V为分界，MOSFET可分为高压MOSFET和中低 压MOSFET；根据器件结构划分，MOSFET可分为平面MOSFET、沟槽型 MOSFET、超结MOSFET等。

A.三类MOSFET的市场规模和国产化率情况

根据芯谋研究，2021年中国平面MOSFET的市场规模约为20.8亿美元，预 计2025年可增长至30.2亿美元；2021年中国沟槽型MOSFET的市场规模约为19.0 亿美元，预计2025年可增长至23.9亿美元；2021年中国超结MOSFET的市场规 模约为6.8亿美元，预计2025年可增长至10.7亿美元。整体来看，未来三类 MOSFET的市场规模均将继续增长，三类MOSFET共存于市场。

国产化率方面，整体来看高压MOSFET的国产化率低于中低压产品。根据 芯谋研究，2021年中低压平面（400V以下）MOSFET的国产化率约为42.2%， 高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%，超高压平面MOSFET的国产化率约为 18.2%。

B. 三类MOSFET产品的研发差异

MOSFET的主要技术发展维度包括器件结构、制程、工艺、材料等多个方 面，MOSFET的发展不高度依赖于先进制程工艺，更侧重于打造特色平台，在 结构、工艺及材料方面不断优化。

基于MOSFET不追求极致线宽、不必遵循摩尔定律的技术发展特点， MOSFET产品的整体研发方向为：在考虑成本因素的前提下，进一步优化工艺 以提升良率、改进优化器件参数，达到性能、成本、可靠性的最优解。具体来 看，三类MOSFET的研发难度各有侧重；平面MOSFET偏重于设计和工艺的结 合，沟槽型MOSFET和超结MOSFET偏重于实现工艺，对设备精度的依赖性更 高。

C.三类MOSFET产品的市场前景

三类MOSFET均可应用于消费电子、工业控制等领域，以消费电子代表性 品类智能家居产品为例，根据Strategy Analytics数据，拥有一件以上智能家居产品的家庭比例将由2021年的15%上升至2025年的接近20%，智能家居市场规模 将从2021年的1,230亿美元增长至2025年的1,730亿美元，亚太地区将成为最大的 智能家居市场，市场前景广阔。

以工业控制领域代表性应用产品逆变器为例，根据Global Market Insight数 据，全球光伏逆变器市场规模预计将从2021年的191.8亿美元增长至2028年的 270亿美元以上，根据当前6%的功率器件成本占比计算，光伏逆变器中使用的 功率器件市场规模超过100亿元人民币，市场前景广阔。

超结MOSFET的下游应用市场主要受新能源汽车带动，以其代表性应用场 景新能源充电桩为例，根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据，2021年 中国新能源充电桩市场规模达418.7亿元，预计2026年可增长至2,870.2亿元，巨 大增长空间中将产生大量超结MOSFET需求，具有广阔的市场前景。

未来三类MOSFET的市场规模将继续保持增长，体现出三类MOSFET之间 主要为互补关系；三类MOSFET的下游应用领域均包含消费电子、工业控制 等，具有广阔的市场前景。

④ MOSFET 市场的竞争格局

A. MOSFET整体竞争格局

长期以来，以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品 牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，目前占据 全球 MOSFET 市场的主要份额。根据 Omdia 数据，以销售额计，2020 年 MOSFET 市场前七大品牌的市场占有率合计达到 68.09%。市场竞争格局相对稳 定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第八位和第十位，安世 半导体（已被闻泰科技收购）位列第九位，三家合计市场份额占比 10.26%。这 表明国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头角，但整体市场份额较国外 品牌仍存差距。

根据 Omdia 数据，2020 年英飞凌和安森美分别占据了中国 MOSFET 市场 产品销售额的 24.87%和 16.53%，中国本土最大的 MOSFET 品牌华润微市场占 有率约为 9%，排名第三。

近年来，在政府的政策引导及资金扶持下，国内 MOSFET 市场蓬勃发展， MOSFET 厂商资本支出和研发投入持续提升，涌现出华润微、士兰微、华微电 子、新洁能、东微半导等一批国内厂商，与国外品牌进行市场竞争，标志着国 内 MOSFET 品牌与国外品牌的技术差距正在缩小。

B.三类MOSFET国内市场竞争格局

平面MOSFET方面，根据芯谋研究发布的《中国MOSFET市场研究报告 2022》，国内知名MOSFET厂商有近百家，其中2021年MOSFET功率器件营收 超亿元的中国大陆企业有21家，剔除产品布局以沟槽型MOSFET或超结 MOSFET为主的企业后，主营平面MOSFET的国内企业主要包括安世半导体 （已被闻泰科技（600745.SH）收购）、华润微（688396.SH）、士兰微 （600460.SH）、华微电子（600360.SH）、深爱半导体（833378.NQ）、捷捷 微电（300623.SZ）、扬杰科技（300373.SZ）等。

沟槽型MOSFET方面，国内主要从事沟槽型MOSFET销售和研发的厂商包 括新洁能（605111.SH）、士兰微、华润微、东微半导（688261.SH）、捷捷微 电、扬杰科技等。

超结MOSFET方面，国内主要从事超结MOSFET销售和研发的厂商包括东 微半导、新洁能、士兰微、华润微、捷捷微电等。

关于沟槽型MOSFET和超结MOSFET的主要厂商情况介绍，士兰微、华润 微、新洁能、东微半导的介绍详见本节之“二/（五）/2、行业的竞争格局”， 其他厂商简要介绍如下：

上述企业中，华润微、士兰微等作为国内IDM领先厂商，其产品种类覆盖 较为齐全，Fabless模式设计企业的在产品结构方面各有侧重，如新洁能专注于 沟槽型 MOSFET ， 东 微 半 导 专 注 于 超 结 MOSFET 。 发 行 人 专 注 于 平 面 MOSFET，同时已向沟槽型MOSFET和超结MOSFET方面延伸。

（4）功率 IC 细分市场的情况

功率 IC 是功率半导体的另一重要组成部分，根据 Omdia 数据，2020 年全 球功率 IC 市场规模约为 243 亿美元。发行人功率 IC 产品主要为 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC（Gate Driver），其中，发行人 PWM 控制 IC 系开关电源中的核 心元器件，主要应用于 AC-DC 和隔离式 DC-DC 开关电源模块；发行人栅极驱 动 IC 主要产品为电机驱动 IC，主要用于直流无刷电机驱动和步进电机驱动系 统中。

① 市场规模

A、PWM 控制 IC 的市场规模

根据QYResearch测算，2022年全球PWM控制IC的市场规模为50.74亿美 元，预计2028年将达到67.70亿美元，年化增长率为4.92%。2022年中国PWM控 制IC的市场规模约为19.75亿美元，预计2028年将达到30.12亿美元，年化增长率 达7.28%；其中中国高可靠领域PWM控制IC市场规模为5.00亿美元，预计2028 年将达到7.61亿美元，年化增长率达7.26%。

B、栅极驱动 IC 的市场规模

根据西南证券研究报告，2022年全球栅极驱动IC市场规模为26.7亿美元， 预计2025年将达到37.5亿美元，年化增长率达11.99%。国内栅极驱动IC的市场 规模以及应用于高可靠领域的市场规模数据暂无公开资料，按照中国电源管理 IC市场规模约占据全球约40%市场份额估算，2022年国内栅极驱动IC市场规模 为10.7亿美元，预计2025年将达到15.0亿美元。中国高可靠领域栅极驱动IC的市 场规模尚无公开数据。

② 竞争格局

A、PWM 控制 IC 的市场竞争格局

根据 QYResearch 相关数据，国际巨头如 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半 导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM 控制 IC 领域总体处 于领先地位，2021 年度 PWM 控制 IC 中国市场收入前 10 大公司均为国外公司， 排名具体如下：

B、栅极驱动 IC 的市场竞争格局根据芯谋研究相关数据，栅极驱动 IC 市场集中度相对较高，2021 年度栅 极驱动 IC 中国市场收入前 10 大公司市场占有率合计达到 74.4%，其中欧日美 公司总体处于领先地位，3 家中国大陆企业峰岹科技（688279.SH）、士兰微 （600460.SH）和晶丰明源（688368.SH）市场占有率合计为 20.1%，具体如下：

C、高可靠领域功率 IC 的竞争格局

高可靠领域电子元器件市场相对特殊，对供应商的各项资质、研发实力和 质量管理体系有相当严格的要求，对产品的质量、可靠性和长期持续稳定供货 能力更为关注。高可靠领域客户一般首先考虑向现有合格供应商采购，在现有 合格供应商提供的产品无法满足需求时，才会委托新的供应商开发新产品，且 新产品认证周期较长，因此国内高可靠领域功率 IC 产品的市场参与者均具有各 自相对擅长的产品领域和较为稳定的下游订单需求，行业内市场化竞争程度较 为温和。

③ PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC 的国产化率情况

QYResearch 研究报告显示：“近年来，中国隔离式 PWM 控制器生产商在 国内也占据了一定的市场份额（10%~15%）”，由此可见 PWM 控制 IC 市场国 产化率相对较低。

根据芯谋研究相关数据，2021 年度栅极驱动 IC 中国市场前 10 大公司的市 场占有率为 74.4%。这 10 家公司中仅有 3 家中国大陆公司，市场占有率合计为 20.1%，由此可见栅极驱动 IC 市场国产化率相对较低。

（5）功率半导体下游应用领域

功率半导体的下游应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品，均离 不开功率半导体的应用，功率半导体主要下游应用领域包括消费电子、工业控 制、汽车电子、高可靠领域等。

数据来源：Yole、申港证券研究所，该数据并非专门为本次发行准备，发行人未为此支付 费用或提供帮助

四、竞争对手

1、发行人的市场地位

发行人凭借高性能的产品积累了如晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技 等众多业内知名的芯片设计公司客户，产品已被小米、美的、雷士照明、佛山 照明等知名终端客户所采用。在细分领域，公司的产品性能参数处于业内先进 水平，具有较强的市场竞争力。

根据 Omdia 研究数据，2020 年 MOSFET 功率器件主要本土厂商（不含外 资企业、港澳台企业）占全球市场份额情况如下：

结合 Omdia 数据，以发行人 2020 年 MOSFET 产品销售额测算，发行人全 球 MOSFET 市场的市场份额约为 0.23%；结合芯谋研究和 Omdia 数据测算，发 行人 2021 年平面 MOSFET 国内市场占有率约为 1.26%。根据江苏省半导体行 业协会统计，以销售额计算，2021 年公司 FRMOS 市场份额位列本土企业第四 位（前三位分别为华润微、士兰微、华微电子）；SiC 功率器件方面，公司是 国内为数不多的具备 650V-1700V SiC MOSFET 设计能力的企业之一，产品已 覆盖业内主流电压段。

公司通过自主积累的核心技术和工艺诀窍，在超高压平面MOSFET方面已 取得深厚技术积累。公司研制推出的1500V超高压MOSFET产品“CS4N150”荣获 第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖，是当年“分立器件”类别 八个获奖产品之一，也是唯一获奖的平面MOSFET产品，该产品2022年已形成 批量销售；发行人独立承接了超高压FRMOS的国家级研发项目，超高压MOSFET领域的技术研发实力得到权威部门认可；发行人超高压平面MOSFET 最高耐压已达1700V，根据同行业可比公司官网公示产品信息比较，该耐压水 平在国内同行业厂商中处于领先水平，体现出公司在超高压MOSFET方面已具 备较强技术水平及市场竞争力。

功率 IC 方面，报告期内，发行人功率 IC 产品已向包括公司 A-1、公司 E、 单位 H、公司 G 等在内的多家高可靠领域客户形成销售，部分客户向发行人采 购的功率 IC 产品目前没有其他国内供应商可以替代，发行人在高可靠领域已取 得一定的市场地位。

2、行业的竞争格局

我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，受到企业规模及技术水平的制 约，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应。

目前，功率半导体行业中美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安 森美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，处 于行业领先地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微、 安世半导体、新洁能、东微半导等，这些企业在芯片设计或制造工艺方面亦拥 有较为深厚的技术积累，在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应，市场份 额稳步提升。

功率器件方面，发行人在行业内的主要竞争对手既包括国际一流功率半导 体厂商，如英飞凌、安森美、东芝、意法半导体、瑞萨、力特等；也包括国内 的知名功率半导体公司，如华润微、士兰微、新洁能、华微电子、东微半导等。 行业内竞争对手基本情况介绍如下：

① 英飞凌

英飞凌成立于 1999 年，前身为西门子集团的半导体部门，已在德国法兰克福交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场挂牌上市（股票代码： IFNNY），是全球领先的半导体公司。其专注于为汽车和工业功率器件、IC 卡 和安全应用提供半导体和系统解决方案，主要产品包括功率半导体、嵌入式控 制器、射频器件与传感器、存储器等。英飞凌采用 IDM 模式，2022 财年营业 收入为 142.18 亿欧元。

② 安森美

安森美于 1999 年从摩托罗拉中分拆，目前已在美国纳斯达克上市（股票代 码：ONNN），是一家宽频和电力管理集成电路和标准半导体供应商。安森美 的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，主要应用于汽车、 通信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事、航空及电源应用等 领域。安森美采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 83.26 亿美元。

③ 东芝

东芝成立于 1875 年，已在东京证券交易所和名古屋证券交易所上市。东芝 是一家多元化的电气、电子制造商，是日本最大的半导体制造商和第二大综合 电机制造商。公司具有丰富的 MOSFET 研发及生产的经验，主要产品包括 500V-800V 的高压 DTMOS 系列和 12V-250V 的低压 U-MOS 系列等。东芝采用 IDM 模式，2021 财年营业收入为 33,369.67 亿日元。

④ 意法半导体

意法半导体成立于 1987 年，已在纽约证券交易所、泛欧巴黎证券交易所和 意大利米兰证券交易所上市，是全球最大的半导体公司之一。意法半导体在分 立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列，产品主要应用于汽车 产品、电脑周边设备、通讯系统、消费产品、工业自动化控制系统等领域。意 法半导体采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 161.28 亿美元。

⑤ 瑞萨

瑞萨成立于 2003 年，已在东京证券交易所上市（股票代码：RNECF）。 瑞萨在半导体领域方面具有先进技术和丰富经验，产品包括集成电路和功率半 导体，其功率半导体产品主要包括 MOSFET、IGBT、功率集成电路、二极管、 三极管及晶闸管等。瑞萨采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 15,008.53 亿日元。

⑥ 力特

力特成立于 1927 年，已在美国纳斯达克上市（股票代码：LFUS），是电 路保护、电源控制和传感器领域技术领先的制造商。力特的产品系列包括保险 丝、功率器件、传感器和保护继电器等，被广泛应用于汽车、工业、家电、医 疗设备、消费电子等领域。力特采用 IDM 模式，2022 财年营业收入为 25.14 亿美元。

⑦ 华润微

华润微成立于 2003 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688396），为 中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的 半导体企业。其产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。华润微 采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 100.60 亿元。

⑧ 士兰微

士兰微成立于 1997 年，已在上交所主板上市（股票代码：600460），是以 IDM 模式为主的综合型半导体产品公司。其主要产品包括 MOSFET、IGBT 等 半导体分立器件、功率模块 IPM/PIM、MEMS 传感器和 LED 芯片等，2022 年 度营业收入为 82.82 亿元。

⑨ 新洁能

新洁能成立于 2013 年，已在上交所主板上市（股票代码：605111），为国 内半导体功率器件设计龙头企业之一。其主营业务为 MOSFET 等分立器件的研 发和销售，目前已经形成沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 两类主要产 品系列，以及屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管和功率模块等 新产品系列。新洁能主要采用 Fabless 的经营模式，2022 年度营业收入为 18.11 亿元。

⑩ 华微电子

华微电子成立于 1999 年，已在上交所主板上市（股票代码：600360），主 要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务，主要生产半导体分立器件及 IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电 子、通讯保护与工业控制等领域。华微电子采用 IDM 模式，2022 年度营业收 入为 19.53 亿元。

⑪ 东微半导

东微半导成立于 2008 年，已在上交所科创板上市（股票代码：688261）， 是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注 于工业及汽车相关等中大功率应用领域。其主要产品包括 Tri-gate IGBT、超级 硅 MOSFET、高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅沟槽 MOSFET 等。东微半 导主要采用 Fabless 的经营模式，2022 年度营业收入为 11.16 亿元。

功率 IC 方面，公司的功率 IC 产品主要为 PWM 控制 IC 及栅极驱动 IC。整 体而言，高可靠功率 IC 的市场参与者数量较少，国内主要从事高可靠领域电源 管理类产品的公司臻镭科技、成都华微和振华风光的产品与公司产品类型存在 一定差异，其中臻镭科技的电源管理 IC 产品主要为负载点电源芯片、T/R 电源 管理芯片、固体电子开关芯片和电池均衡器芯片；成都华微的电源管理 IC 产品 主要为线性电源 LDO 等；振华风光的电源管理器产品主要为电压基准源、三端 稳压源等，前述三家企业非发行人功率 IC 主要竞争对手。国外厂商中，发行人 功率 IC 产品的主要竞争对手为业内领先企业德州仪器、安森美和瑞萨，其中安 森美和瑞萨的基本情况已于前文描述，德州仪器的基本情况如下：

德州仪器成立于 1930 年，已在美国 NASDAQ 证券交易所上市，是一家全 球性的半导体公司，也是世界第一大数字信号处理器和模拟电路元件制造商， 产品主要应用于工业、汽车、消费电子产品、通信设备和企业系统等领域。德 州仪器采用 IDM 模式，2022 年度营业收入为 200.28 亿美元。

五、发行人报告期的主要财务数据及财务指标

                                    2023年一季度                                                                   2022年度

营业总收入(元)                 6119.03万                                                                        2.35亿  

净利润(元)                         1234.41万                                                                      6111.35万

扣非净利润(元)                  1219.50万                                                                      4956.95万

发行股数 不超过1,842.1053 万股，超额配售选择权:

发行后总股本不超过过于7,368.4211 万股

行业市盈率:35.88倍(2023.7.31数据)

同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):28.42(华润微)、40.73(士兰微)、28.40(新洁能)、114.91(华微电子)、41.13(东微半导)去除极值34.67

同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):48.89(华润微)、50.17(士兰微)、47.58(新洁能)、318.15(华微电子)、41.40(东微半导)去除极值47.01

公司EPS静态不扣非:0.8294

公司EPS静态扣非:0.6727

公司EPS动态不扣非:0.6701

公司EPS动态扣非:0.6620

公司EPSTTM不扣非:0.7536

公司EPSTTM扣非:0.5992

拟募集资金53,008.28万元,募集资金需要发行价28.78元,实际募集资金:7.52亿元.

募集资金用途: 1智能功率半导体研发升级项目2SiC 功率器件研发升级项目3功率半导体研发工程中心升级项目4补充营运资金

8月发行新股数量10支。7月发行新股数量32支。

电子 -- 半导体 -- 分立器件

所属地域：江苏省

主营业务：功率半导体的设计、研发和销售。    

产品名称：平面MOSFET 、功率驱动IC 、电源管理IC  、SiC MOSFET  、SiC SBD 、技术服务     

实际控制人：丁国华 (持有苏州锴威特半导体股份有限公司股份比例：21.91%）

你是否有战略配售:本次发行最终战略配售数量为 92.1052 万股，占发行总数量的 5.00%。

股是否有保荐公司跟投:本次获配股数 92.1052 万股。 

关键字:（1）平面 MOSFET （2）功率 IC （3）其他 MOSFET 产品 （4）SiC 功率器件（5）技术服务 

电子一级细分行业:元件、消费电子、其他电子Ⅱ、光学光电子、电子化学品Ⅱ、半导体。

半导体二级行业细分:数字芯片设计、模拟芯片设计、集成电路封测、集成电路、分立器件、半导体设备、半导体材料、集成电路制造。

分立器件三级行业细分:模拟IC、激光设备、IGBT、功率器件。

分立器件三级行业:闻泰科技、士兰微、斯达半导、扬杰科技、捷捷微电、新洁能、苏州固锝、宏微科技、东微半导、华微电子、长光华芯、台基股份、燕东微、派瑞股份、芯导科技、银河微电、蓝箭电子、锴威特。

功率器件四级行业:士兰微、立昂微、扬杰科技、捷捷微电、新洁能、苏州固锝、东微半导、华微电子、台基股份、燕东微、派瑞股份、芯导科技、银河微电、蓝箭电子、锴威特。

(科创板)

行业市盈率:35.88倍(2023.7.30数据)

行业市盈率预估发行价:24.14元，可比公司预估市盈率发行价静态:23.32元，可比公司预估市盈率发行价动态:31.62元。

实际发行价:40.83​元,发行流通市值:7.52亿,发行总市值:30.09亿

价格区间31.5元,最高33.62元,最低27.74元.是否有炒作价值:无

动态行业市盈率预估发行价:24.04元。

上市首日市盈率: 60.93(动)、 54.18(TTM)倍.行业市盈率是否高估:  可比公司市盈率是否高估:

公司EPS动态不扣非:0.6701公司EPSTTM不扣非:0.7536

EPSpe

同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):48.89(华润微)、50.17(士兰微)、47.58(新洁能)、318.15(华微电子)、41.40(东微半导)去除极值47.01

疑似概念:小米、第三代半导体

是否建议申购:估值没有看出什么优势，存在破发的概率。

上市首日开盘价:溢价%，市盈率。是否破发:

行业:功率半导体行业。

发行公告可比公司:锴威特、臻镭科技、振华风光、士兰微、新洁能、东微半导、华微电子。

MOSFET领域竞争对手:锴威特、英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨、华润微(第八位)、士兰微(第十位)、安世 半导体（已被闻泰科技收购）位列第九位、锴威特。

平面MOSFET的国内企业主要包括安世半导体（已被闻泰科技（600745.SH）收购）、华润微（688396.SH）、士兰微（600460.SH）、华微电子（600360.SH）、深爱半导体（833378.NQ）、捷捷微电（300623.SZ）、扬杰科技（300373.SZ）、锴威特。

沟槽型MOSFET销售和研发的厂商包括新洁能（605111.SH）、士兰微、华润微、东微半导（688261.SH）、捷捷微电、扬杰科技。

超结MOSFET方面，国内主要从事超结MOSFET销售和研发的厂商包括东微半导、新洁能、士兰微、华润微、捷捷微电等。 

PWM 控制 IC领域竞争对手:根据 QYResearch 相关数据，国际巨头如 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM 控制 IC 领域总体处于领先地位，2021 年度 PWM 控制 IC 中国市场收入前 10 大公司均为国外公司。

栅极驱动 IC 领域竞争对手:根据芯谋研究相关数据，栅极驱动 IC 市场集中度相对较高，2021 年度栅极驱动 IC 中国市场收入前 10 大公司市场占有率合计达到 74.4%，其中欧日美公司总体处于领先地位，3 家中国大陆企业峰岹科技（688279.SH）、士兰微（600460.SH）和晶丰明源（688368.SH）市场占有率合计为 20.1%.

功率半导体领域竞争对手:① 英飞凌② 安森美③ 东芝④ 意法半导体⑤ 瑞萨⑥ 力特⑦ 华润微⑧ 士兰微⑨ 新洁能⑩ 华微电子⑪ 东微半导、锴威特。

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风险揭示:股市有风险,投资需谨慎.请您务必对此有清醒的认识,认真考虑是否进行证券交易.投资建议内容仅供参考,不构成直接买卖建议,投资者须对其投资行为进行独立判断。