IGBT单管价格稳定 进入Q2后IGBT单管价格保持稳定,其中1200V产品价格环比持平,而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍 有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛,包括工业、光伏、充电桩、汽车等,所以预计在需求景气 带动下,IGBT单管价格今年仍将保持在高位。 高压SiC与硅基价差缩小更明显 根据元器件经销商Mouser的数据,在650V产品上,SiC MOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍,而 1200V产品上,SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍,显示高压领域SiC MOSFET价格差距要更小一 点。
根据CASA Research的说法,SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%,所以我们预计SiC与 硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。
投资建议:推荐关注受益于下游需求景气以及功率器件国产化加速的公司,标的包括:宏微科技、士 兰微、斯达半导、时代电气、新洁能、扬杰科技。
风险提示:下游需求不及预期,行业竞争加剧风险,产品迭代升级进度不及预期风险。