简介：鑫耀半导体主要从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底（单晶片）的研发、生产。

云南锗业:核心产品突破国外技术封锁。

且与中国科学院半导体研究所合作成立“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司-中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”，主要以大直径低位错密度锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料制备及其应用为重点研究方向，深入开展锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料生长制备技术、材料物性检测分析、光电子微电子器件研发等应用技术等方面的研究。加强与高端研发人才的合作，申报成立梁骏吾院士工作站。
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另外还有碳化硅相关专利:

本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度，从而减小了生长温度的测量误差，使得PVT方法生长SiC单晶时的温度控制更精确，生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低。