第三代  半导体的材料适合高功率、高电压并且耐高温。·

电动车对于减少碳排放有很大的帮助。

Si目前仍为主流材料,IGBT需求相当大。

Sic主要是高电压使用,GaN则是低电压。

特斯拉的  MOSFET模组电压未来会升高至800~1200V电动车跟无人机正在快速发展。

Si与Sic目前同时使用，但在驱动马达上Sic有优势。·中国电动车市场成长幅度大。

Sic市场的预期CAGR30%，最大贡献为电动车。

鸿海要走Chip Processing,还有另外投资FSS、富鼎。环球晶跟朋程对晶圆半导体上游有很大的贡献。

电动车  大重点，电池、半导体和感应器、系统整合。

鸿海希望能量产关键IC，并将外包跟自有产能弹性利用。

问题一:高品质基板为寡占市场，基板占成本五成。

需有高品质 Sic基板成长技术、关键原物料(晶种、坩埚、粉末)、缺陷检测技术。

Sic生长条件严苛，良率偏低，成长温度需在2100度以上(Si只需1400度)。

4时wafer拿去用高频元件,6时wafer则拿去用POWER DEVICE。

大家都在将wafer从6时往8时推，因为可有效降低成本。

问题二:制成条件严苛，需要靠许多制程方面的技术优化。

问题三:GaN on Si大面积磊晶具有成本优势，但晶格不匹配，容易有缺陷。需有高品质异质磊晶技术。若GaN想往车用方面走，工程基板是个重要点。

问题四:如何强化GaN。需靠可靠的检测标准、缺陷捕捉分析能力、元件失效机制厘清。

Q:请问目前大陆生产的SIC基板跟晶圆代工品质可否用于太阳能PVINVERTER的市场

A:可以,是通用的。

Q:太阳能SIC inverter是用PN还是MOSFET的结构?

A: 用PN就够了,不需要SWITCH,但有些MOSFET可以做配电。

Q:可以再说明一下未来车用的摄影机会消耗多少第三代半导体?

A:摄影机主要是SENSOR为主,用Si。

Q:请问IGBT与MOSFET 应用的差别在哪里？

A: SIC MOSFET可做的IGBT也可以做。但SI会比较大,不过有些地方没那么在意体积的话IGBT还是非常重要，毕竟其现在最可靠。

Q:请问LIDAR大幅采用的时间点以及价格带，在台湾您觉得较重要的领先厂商为哪些？

A:一个点是ADAS,很快就采用。无人车才会用LIDAR,一般车用LIDAR成本太高,预计5~10年后爆发。

Q:一台快充充电桩如何预估大概需要消耗多少SiC晶片、通常需要多少崩溃电压才适合采用？

A:趋势为800V的快充。

Q: (1)请问Sic 在power supply 上的应用如server的成熟性。有没有已经导入的案例(2)请问LIDAR 目前多用InP or GaAs设计上大概4寸/6寸可以切几颗。谢谢。

A: (1)案例有,但是量仍不大。现在导入都在还蛮初期的阶段。(2)至少可以好几百颗。

Q:台厂在第一及第二代半导体有完整生态系优势及量大优势，但第三代半导体的生态及市场完全不同且中国以国家力量全力自主发展，台厂有何优势？

A:虽然中国用很大的力气发展,但良率仍不好。台湾之前已经有累积一些技术优势。

Q: 请问5G基站上现在使用GaN on SiC的MOSFET 比例高吗?

A:比例很高。这边美国对中国有管制。

Q:鸿海电动车发展是偏特斯拉还是欧系呢

A:应该是偏向平价实用为主。

Q:请问未来3-5年来看,SiC MOSFET在电动车上替代IGBT可以达到多少渗透率? inverter可能渗透的快,OBC和DC/DC怎么看?谢谢

A:希望有超过五成。快充大家比较不在乎体积,所以IGBT仍占大宗。