AI算力需求的提升也驱动着光模块向高速率演进,光模块需要800G以上甚至到1.6T的传输速
率上,薄膜铌酸锂方案作为重要技术路径之一被高度关注,将成为高速光模块的重要发展方向,
有望借势破局。铌酸锂被视为引发光子学革命的材料,铌酸锂材料通过最新的微纳工艺,在硅基
衬底上蒸镀二氧化硅(SiO2)层,将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面,最后剥离出铌酸锂薄膜
,这样制备出的薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产、且与CMOS工艺
兼容等优点,是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。目前,国内已有不少家公司已经将薄膜
铌酸锂调制器技术应用到800G光模块中。根据LightCounting的预测数据,薄膜铌酸锂调制器适
配的600G及以上相干光模块DSP市场,有望从2021年的1.31亿美元,增长至2027年的9.92亿美元
,6年CAGR为40.06%,薄膜铌酸锂调制器行业具备较高的成长性。
AI大模型的训练和应用,将给算力、网络设备、光模块带来较大的弹性,且有望驱动光模块
的技术升级需求。光信号调制是光模块的必要功能,在中长距光通信场景中,特别是相干通信中
,调制器则是必要器件。具有“光学硅”之称的铌酸锂材料通过最新的微纳工艺,在硅基衬底上
蒸镀二氧化硅(SiO2)层,将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面,最后剥离出铌酸锂薄膜,这样
制备出的薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产、且与CMOS工艺兼容等
优点,是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。券商指出,目前该调制器在国内可以实现全产
业链把控,从薄膜衬底、芯片设计、器件设计到封装都可以在国内完成,关注薄膜铌酸锂落地的
机会。