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1、驱动：8月12日盘后消息，美国商务部周五发布一项临时最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的ECAD软件；金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料；燃气涡轮发动机使用的压力增益燃烧(PGC)等四项技术实施新的出口管制。

2、半导体衬底

第一代：以硅（Si）、锗（Ge），为代表，主要应用于低压、低频、低功率的部分功率器件、集成电路；

第二代：以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表，被广泛应用于光电子和微电子领域； 第三代：以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体为代表，在介电常数、导热率及工作温度等方面具有显著优势，目前已逐步应用在5G通信、新能源汽车、光伏等领域；

第四代：以氧化镓、金刚石、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料。

3、金刚石

（1）简介：由于具有载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等性能，金刚石是研制大功率、高温、高频等高性能半导体器件的理想材料，被行业誉为“终极半导体材料”。

（2）现状：郑州磨料磨具磨削研究所董事长赵延军表示，想要实现芯片级金刚石的工业化，需要克服提高金刚石纯度、制作大尺寸金刚石薄片等一系列系统性技术挑战，预计需要10~20年的研发才有可能突破。

4、氧化镓( Ga2O3 )

在耐压、电流、功率、损耗等维度都有其优势，此前被用于光电领域的应用，直到2012年开始，业内对它更大的期待是用于功率器件，全球80%的研究单位都在朝着该方向发展。

（1）制备：

EFG法是当前唯一能制造大尺寸氧化镓衬底的工艺，几乎供应了全球100%的氧化镓衬底的日本NCT公司，采用的便是EFG法。缺点是要用到的贵金属铱非常昂贵，业内正在研究无铱工艺，低成本氧化镓进入市场已经具备可能。

（2）进展：

日本在氧化镓研究上是最前沿的，2015年推出了高质量氧化镓单晶衬底、2016年推出了同质外延片。中国科技部今年已将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。而美国目前正从前沿军事技术布局的角度大力发展氧化镓材料。

（3）行业现状：

1）目前仅有日企研发出6英寸单晶。在一些特定领域，日本已经与客户完成了初步验证，计划从小规模实验准备转入量产阶段，预计在2023年量产。

2）大功率、高效率电子器件还处于实验室阶段的研发，在大规模实际应用方面还有欠缺。

3）最早可能会出现在快充和工业电源上。

（4）国内：

氧化镓材料以中电科四十六所、山东大学、深圳进化半导体、中科院上海光机所、北京镓族科技、杭州富加镓业等单位为主力。进化半导体方面表示，正在开发6英寸的氧化镓材料，今年应该可以实现2英寸材料的小批量供应。此外，22年5月浙江大学宣布已经成功制备直径2英寸的氧化镓晶圆。

（5）相关公司：