8月12日讯 当地时间周五，美国商务部工业与安全局（BIS）在联邦公报上披露了一项出口限制加码的临时最终决定，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。

据悉，此次被升级出口管制的技术包括：

宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石：氮化镓和碳化硅是生产复杂的微波、毫米波设备，或大功率半导体器件的主要材料。而氧化镓和金刚石有潜力能制造出更加复杂的设备，同时能耐受更高的电压或温度。

开发GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路的ECAD软件：电子计算机辅助软件（EDA/ECAD），用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板的性能。作为FinFET的继任者，GAAFET（全栅场效应晶体管）被视为量产3nm及以下工艺制程的关键技术。BIS也在征求公众意见，以决定哪些ECAD的具体功能特别适用于设计GAAFET电路，以确保美国政府能够有效实施这项管制。

半导体材料的代际之分

1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）的元素半导体材料。第一代半导体材料，尤其是硅，在半导体器件的发展和应用中牢牢占据着统治地位，是大规模集成电路、模拟IC、传感器等器件的材料基础，硅的加工技术是摩尔定律得以实现的基石。硅基芯片在电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，致使产业外的很多人一提到半导体以为指的就是硅。

2.第二代半导体材料主要是指砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等的化合物半导体材料，此外还包含三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP，还有一些固溶体半导体如Ge-Si、GaAs-GaP，玻璃半导体（又称非晶态半导体）如非晶硅、玻璃态氧化物半导体，有机半导体如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他四个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

4.第四代半导体材料主要是以金刚石（C）、氧化镓（GaO）、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带（UWBG）半导体材料，禁带宽度超过4eV，以及以锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带（UNBG）半导体材料。在应用方面，超宽禁带材料会与第三代材料有交叠，主要在功率器件领域有更突出的特性优势；而超窄禁带材料，由于易激发、迁移率高，主要用于探测器、激光器等器件的应用。需要强调的是，实际上四个代际的半导体材料并不是后面的要取代前面，而是对硅材料形成了重要补充。

我国其实开展氧化镓研究已经十余年，但是直到近年来46所的技术突破才实现了距离产业化“一步之遥”，从公开资料能了解到目前从事GaO材料和器件研究的单位和企业，主要是中电科46所、西安电子科技大学、上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等高校及科研院所，科技成果转化的公司有北京镓族科技、杭州富加镓业。国内团队未见关于GaO MOS的报道。

新湖中宝持股富加镓业22%，富加镓业成立于2019年12月，公司成立于2019年12月，注册资金500万，是由中国科学院上海光学精密机械研究所与杭州市富阳区政府共建的“硬科技”产业化平台——杭州光机所孵化的科技型企业。

富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司厂房面积八千余平米，拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力硬件保证。富加镓业最初技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，该团队是我国最早从事氧化镓晶体生长的团队，从04年开始即开展研究。富加镓业专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。我们注重知识产权保护和氧化镓相关基础探索研究工作，在全球范围内对氧化镓晶体材料生长及上下游应用领域的专利进行布局，申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司厂房面积八千余平米，拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力硬件保证.氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作在40GHz等优点，是5G基站攻略放大器的首选材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展。

富加镓业团队是我国最早从事氧化镓晶体生长的团队。富加镓业专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。我们注重知识产权保护和氧化镓相关基础探索研究工作，在全球范围内对氧化镓晶体材料生长及上下游应用领域的专利进行布局，申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。