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存储行业重要更新

选对股买对时

中线波段的公社达人

2023-04-21 00:40:54

事件1：SK海力士20日宣布，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM。容量较上一代HBM3 DRAM提升50%。SK海力士已向客户提供样品。
1、存储芯片周期下行过半，2023Q2探底，普遍预期2023H2将复苏。23Q2供需双方处于激烈博弈阶段，虽然需求不足以支撑强劲复苏，但价格有望于23Q2提前止跌。
2、大容量存储芯片下游驱动力从Mobile向AI/HPC切换。DRAM迈入1β节点，技术升级速度将放缓。NAND量产进入200L+时代，迈向1000L。
3、HBM3带宽较DDR5高出10倍以上，AI服务器引爆HBM新型存储需求，2025年市场规模有望快速增至25亿美元。

事件2：4月20日消息，知情人士称，芯片制造商长鑫存储计划今年在科创板IPO，估值不低于1000亿元人民币（约合145亿美元），IPO规模尚未最终确定。
1、长鑫国产内存项目有三期，项目总投资超过2200亿元。第一期投资约为72亿美元，预计产能12.5万片晶圆/月。根据公开信息，2017年7月长鑫一期投产，2019年9月20日，长鑫宣布正式量产DDR4内存。2020Q1，长鑫投片量为1万片/月；截至2021年年底，长鑫已经实现5万片/月的DRAM产能。目前公司官网对外供应DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模组。
2、公开新闻整理，长鑫存储此前计划到 2022 年将晶圆产量翻一番，达到每月 12万片，中长期目标为 30万片。长鑫二期于2021年6月底开工建设，逐渐投产后，长鑫的DRAM存储芯片产能预计将增至12.5万片。M国商务部于2022年10 月7 日宣布了新的对华半导体xian制措施，其中针对18nm及以下制程的DRAM设备和技术进行限制，我们预计长鑫存储的扩产受到影响。
3、此次彭博社报道长鑫存储有望IPO上市，我们预估公司扩产情况好于预期，18nm以上部分合规可继续扩产。行业CAPEX有望好于22年底市场悲观预期，我们预计产业链相关公司将受益。