点评：光伏设备行业，景气度高，成长性高；半导体设备行业，景气度低，成长性高。
得益于碳中和的政策，光伏是近两年的高景气度赛道，近期由于硅料价格下跌、叠加疫情因素，则成为了领跌板块。明年光伏产业链中将有多个环节出现过剩，如硅料、硅片、电池片，而作为设备商，收入是和下游的产能成正比的，暂时不用担心这个问题。而且，光伏行业正在进行技术迭代，N型电池取代P型电池，当前N型的渗透率还很低，未来几年的成长性还是很不错。
与已上市的光伏设备厂商相比，微导纳米是差异化竞争，如迈为主做丝网印刷设备，捷佳伟创主做PECVD，微导纳米主做ALD。
半导体行业则处于周期底部，不过国产替代带来的需求对冲了下行周期。其中薄膜沉积设备的国产化率还不到10%，拓荆科技主要做的是PECVD，而在ALD领域，微导纳米和拓荆科技的技术路线不同，两家公司在2021年的收入都在2500-3000万之间，但2022年上半年微导纳米的半导体ALD设备还没收入，原因不详。
给予微导纳米2023年6倍ps，即合理市值71亿，合理价格15.64元，对应发行价-35%。
p.s.作者估计的合理市值不代表新股上市后的股价预测，而是一个在作者认知范围内能接受的价值。实际价格和合理价值当然会有偏差，就是因为股票有的高估，有的低估，才有交易机会。
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公司以原子层沉积（ALD）技术为核心，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售，向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务。
（四）行业在新技术、新产业、新业态、新模式等方面近三年的发展情况和未来发展趋势
薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。
薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备
目前，公司产品主要用于光伏产业链的中游环节，为太阳能电池片厂商提供镀膜设备，用于在电池片正面或背面镀 Al2O3 和 SiNX，是光伏电池片生产环节的关键工艺设备。
根据 IRENA 的预测，太阳能光伏发电的全球总容量将从 2018 年的 480 GW，到 2030 年达到2,840 GW，到 2050 年达到 8,519 GW。
截至2021 年底，我国光伏发电装机量达 307GW，同比增长 21%，连续 7 年位居全球首位；2021 年新增光伏发电装机 54.88GW，同比增长 13.9%，连续 9 年位居世界第一。根据中国光伏行业协会预测，在“碳达峰、碳中和”目标下，“十四五”期间我国光伏市场将迎来市场化建设高峰，预计国内年均光伏装机新增规模在 70-90GW。
我国电池片生产规模自 2007 年开始已连续 14 年居全球首位，全球电池片产业继续向我国集中。
我国光伏企业在 TOPCon、HJT 等下一代高效晶硅电池生产技术的研发上先后取得突破，转换效率不断刷新世界记录，效率更高的 N 型 TOPCon 电池、HJT 电池等则最有望成为 P 型 PERC 电池后的产业化主流技术。
根据 CPIA 预测，2020-2030 年不同电池技术市场占比的变化趋势如下图所示：
按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备，其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉、单晶炉、切片机、切断机、硅片检测分选设备等；电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散炉、刻蚀设备、镀膜设备、激光开槽设备、丝网印刷机等；组件设备主要包括划片机、自动串焊机、自动叠层设备、层压机、自动包装机等。
光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018 年-2021年，我国新建成产线基本全部为 PERC 产线，针对目前已经大规模生产的PERC 电池生产技术，生产设备基本实现国产化，其中薄膜沉积设备主要用于PERC 电池的钝化和减反膜的制备。
对于新型高效电池来说，目前产业化前景最为明确的 TOPCon 电池和 HJT电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon 电池生产线可以由 PERC 电池生产线升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT 电池整体结构变化较大，其制造环节只需 4 大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比 10%）、非晶硅沉积设备（投资占比 50%）、透明导电薄膜设备（投资占比 25%）和印刷设备（投资占比 15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。
根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的 N型电池）产线每 GW 平均投资规模高于 PERC 产线。而公司研发、生产的设备在 PERC 产线建设中的投资占比为 24.71%-26.73%，在 TOPCon（含 N 型电池）产线建设中的投资比重上升至 33.00%-39.12%。
从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的 16%，占晶圆制造设备投资总额的 21%。
半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。
在半导体制程进入 28nm 后，由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。
从中长期看，新型显示技术如柔性电子、Mini/Micro LED 市场规模将快速提升。
考虑到新型显示技术对封装保护的更高要求，而 ALD 膜层拥有高密度、无针孔、保型性能好、绝缘、阻水阻氧等特点，柔性 OLED 等新型显示技术开始使用 ALD 膜层来保证其稳定性。
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