六月重大首推高新发展，同样一字板，市场目前对其认知几乎为0，经过深度研究个人及其看好上涨空间及未来发展，因此通过下文来详细剖析一下其独特的预期差魅力！

 

一、驱动因素（公司战略转型，跨界IGBT半导体）

5月31日晚间，高新发展发布公告称，公司正在筹划现金收购森未科技、芯未半导体两家公司控制权。

 

公司一直在积极谋求战略转型，加快重塑业务架构，特别是要以成都高新区电子信息支柱产业为基础，通过上市公司并购等手段，选好赛道确立充分竞争具备硬核技术的新主业，争取在某一细分领域发展成为具有领先地位和强大影响力的优质上市公司，更好回报广大中小股东。

 

 

二、价值分析（超强预期差）

对于森未科技和芯末半导体公开资料少之甚少，因此对于公司的真实价值分析也就造成了很大的预期差！

 

森未技术团队来自原东方电气中央研究院，技术能力涵盖从功率半导体芯片设计、加工、测试、应用全过程，是国内为数不多从应用入手进行芯片及产品研发的公司。 目前IGBT 产品覆盖 600V-1700V，单颗芯片电流规格 5A-200A，芯片可以覆盖工业变频、新能源发电、变频家电、电动汽车等领域，已经成熟应用于风电伺服驱动、光伏逆变器等新能源发电领域。

 

 

森未 17 年 6 月成立以来，开发的产品均采用第六代或第七代 IGBT 技术相关，其已实现第六代产品的国产化，其中 650V/50A 和 1200V/100A 产品已实现小批量量产和销售。森未已经掌握全球 IGBT 产品市场上 普遍采用的“沟槽栅+场截止技术”主流技术，通过国内工艺代工验证，通过与国际领军企业英飞凌公司的同类产品进行对比测试和实际工况下的性能对比，结果表明其系列产品性能可完全对标德国英飞凌产品。

 

 核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一。器件团队工艺技术积累来自多年在晶圆生产线的一线工作经验,不仅熟悉国内各条晶圆线的工艺条件 ，而且在日本有多年的先进工艺开发经验， 应用团队在中央企业具有超过十年的IGBT应用开发经验, 对IGBT在终端场景的实际应用具有深入的理解。

 

森未科技总经理胡强接受《国际电子商情》采访时表示，IGBT器件在小家电、小功率工业配套设施等部分细分领域中的国产化率已经达到了50%，成为实现“中国芯”的最佳突破口！

     

  

作为一家新晋的IGBT芯片公司，森未科技在设计能力和工艺实现能力上已经具备接轨国际先进水平的能力，其IGBT背面生产工艺、模块检测能力、产品应用技术支持是竞争国际品牌的三大“王牌”。胡强介绍道：“森未科技从芯片自主化生产开始，结合自身掌握的背面核心工艺，并针对与下游行业不断涌现的新需求，打造、发挥好IDM公司的优势，做出客户用得舒心的产品。同时，森未科技也会持续开发更高电压等级的芯片，可根据客户需求提供定制化程度更高的IGBT产品及整体方案。”

 

 

 

目前公司正筹建一条年产6万片的最新一代8英寸IGBT芯片背面生产线，并已搭建有完善的检测平台及检测环境，测试水平可达国际标准，未来将能更好的满足客户对性能及质量的要求。

 

 

至于芯末半导体，那就是配合森未半导体销售，在此就不在分析,有兴趣的可自行再深度研究；

 

时代电气：800亿市值+

斯达半岛：600亿市值+

振华科技：600亿市值+

 

森未半导体价值几何？这个价位买到就是送钱！！