1.江波龙：存储器品类丰富应用广泛，四大产品线并行发展

江波龙公司主要从事 Flash 及 DRAM 存储器的研发、设计和销售。公司成立于 1999 年，聚焦存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储产品 定制等核心竞争力，提供消费级、工规级、车规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方 案。公司成立以来，立足技术创新和品牌价值，聚焦全球行业应用与高端消费市场，多项 产品跻身全球市场顶尖行列，其中，2021 年 1-9 月公司的移动存储产品存储卡全球市场份 额位列 Top2，2020 年嵌入式存储产品 eMMC 市场份额位列全球第七，2019 年固态硬盘 产品 SSD 出货量位于全球 Top7。

公司嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线蓬勃发展，铸就公司核心 竞争力。公司面向消费电子、工业、通信、汽车、安防、监控等行业应用市场和消费者市 场，为客户提供嵌入式存储、固态硬盘和移动存储在内的存储芯片和产品。其中，固态硬 盘和内存条主要用在消费级、工规级和企业级，嵌入式存储和移动存储可用在消费级和工 业级，此外，嵌入式存储还可用于车规级，是公司应用最为广泛、贡献收入比最高的一类 产品。

1.1.历史沿革：销售起家转型产品研发，23年打造存储行业标杆

江波龙始建于上世纪末，从销售到研发转型共发展历经三个时期。回顾公司 23 年的 发展历程，其从销售到研发的转变充分体现了公司战略布局的前瞻性。

1）1999-2002，成立初期： 江波龙从 NAND 产品开始切入，渐渐走上了自研的道路。公司成立于 1999 年，彼时 定位于存储产品的销售和贸易，尚未涉及产品自研阶段。随着对半导体行业的不断探索, 江波龙开始了技术积累之路，从半导体销售转变为存储产品代加工。并于 2002 年开发出 首款 U 盘控制芯片后成功从贸易型公司转化成为技术性公司。 2）2002-2017，技术成熟和产品拓展期： 2002 年后，公司陆续研发出 SD 卡和 MMC 移动闪存卡，初步形成 DMS 经营体系后 正式设立存储子品牌 FORESEE。FORESEE 作为公司创立的存储品牌，在嵌入式存储、移动存储、固态硬盘、内存条四个产品品类上各有建树，其影响力不断扩大，帮助公司在国内 市场站稳脚步。

3）2017-至今，品牌积淀期： 在扩展市场的同时，江波龙坚持对研发技术的创新与积累。除了不断加大研发投入， 江波龙还建立了多个研发中心。2019 年江波龙建成了中山存储产业园，2021 年启动了江 波龙集团上海总部的建设，多地布局，进入加速跑道。初步形成DMS 经营体系后，公司又于 2017 年将 Lexar 正式纳入版图，Lexar聚焦高端消费，是公司拓展海外版图的重要一步。Lexar1996 年成立于美国硅谷，被公司收购前曾先后经历上市和美光收购后下市，一直作为全球高端影像存储卡的代表企业。2017年，江波龙收购了国际高端消费类存储品牌 Lexar(雷克沙),开启了高端消费存储产品的进一步研发。根据Omdia数据，2021 年 1-9 月 Lexar 存储卡市场份额世界第二，USB闪存盘市场份额全球第三。公司收购 Lexar 是其拓展企业级、工规级高端存储产品线的重要举措，战略效果已得到印证。

1.2.公司治理：创始人实控人一体，核心人员多年深耕行业

公司控股权较为集中，股权结构明晰。公司的控股股东为蔡华波先生，实际控制人为 蔡华波先生、蔡丽江女士。蔡华波先生和蔡丽江女士系姐弟关系，两人合计直接和间接控 制 24,600.00 万股，占比 66.33%，其中蔡华波先生直接持有 16,200.00 万股，持股比例 39.24%； 蔡丽江女士直接持有 1,470.00 万股，持股比例 3.56%；同时，蔡华波先生通过担任龙熹一 号、龙熹二号、龙熹三号、龙舰管理、龙熹五号的执行事务合伙人，间接控制 6,930.00 万股，占比 18.69%。

公司核心董事会团队具有多年半导体相关从业经验，经验丰富助力公司快速发展。公 司管理团队中大部分成员拥有国内知名企业和国际企业从业经验，COO 王景阳先生曾任职 于华为、意法等公司，从业经验丰富；CTO 高喜春先生曾获 2015 年中国通信产业年度技 术人物称号，半导体研发经验近 20 年。

1.3.产业合作：供应商及客户群体分布广泛，细分龙头深度受益信创产业蓬勃发展及国产替代机遇

（1）信创产业发展叠加企业级存储高速增长催生存储产业国产替代的刚性需求存储属于信创产业中的“基础硬件”。信创产业即信息技术应用创新产业，旨在实现 信息技术领域的自主可控，保障国家信息安全。从产业链角度看，信创产业主要由基础硬 件、基础软件、应用软件、信息安全 4 部分构成。其中，存储及服务器是计算存储设备， 属于信创产业中的基础硬件。

数字经济时代，数据是基础性资源和战略性资源，中国数字经济近年来一直保持高速 成长，其发展需要存储系统的紧密配合。2020 年，我国数字经济规模占 GDP 比重已近四 成。根据 IDC 预测，全球数据总量将会从 2020 年的 50ZB 快速增长到 2025 年的 175ZB。 届时，中国将成为全球最大数据圈，占全球数据圈的 27.8%，超过美国，超过欧洲、中东 及非洲数据圈的总和。中国正在成为拥有 数据这种新型生产资料的超级大国。数据是计算的源头，数据的处理需要时刻与存储系统 紧密配合。数据的规模和特点，既决定了计算资源如何布局和建设，也决定了存储资源如 何布局和建设。据前瞻产业研究院，信创信息安全硬件需求中，除每年新增需求外，对目 前正在使用存储器总的替换需求超过 900 亿元，其中 SSD 占比将达到 40%。

我国存算投资比例明显失衡，存储将成为中国数字经济发展的重大短板，国产存储器 空间较大。从欧美等发达国家的存储/计算投资比例看，其在二者之间做到了比较好地兼顾 和平衡：美国在存储、计算上的投资比例为 1:2，欧洲则为 1:1.5。相比而言，中国在存储、 计算上的投资比例仅为 1:3.3，非常明显地重计算、轻存储。这样的建设后果是，中国数字 经济在高速发展有了强大的计算资源支撑，但是对应的存储资源却日渐捉襟见肘，存储很 快会成为中国数字经济发展的重大短板，影响整体发展节奏。

服务器市场逆风飞扬，信创政策加持下引领国产存储器市场开创新局。数据中心成为 存储器市场关键驱动力，国内云计算企业的崛起同样提出了定制化、国产化的存储需求。 根据 Trendforce，2021 年-2025 年，数据中心对 DRAM 及 NAND 的需求相对手机及笔记 本电脑有更强的复合增速，分别达到 30%/50%。 从内存端来看，存储原厂针对数据中心的 内存出货占比在 2022 年约为 33%，有望在 2025 年达到 40%。

从闪存端来看，云计算企业对 SSD 的稳定性、安全性等要求较高，特别是部分核心数据，除了标准固态硬盘外，还有 定制化需求。而拥有控制芯片能力的海外 SSD 企业提供的都是标准化硬盘，并且在国内服 务响应能力差，越来越不能满足云计算企业的发展要求。因此，定制化的、国产化的 SSD， 成为了大型云计算企业的首选。目前，阿里云已经率先与国内拥有控制芯片能力的 SSD 企 业进行了定制化合作，成功应用在了阿里云的数据中心，未来腾讯云、百度云等也将会开 展 SSD 定制化采购，据海睿投资，预计到 2025 年，国内云计算市场对 SSD 的需求将达到 222 亿元。

（2）供应商及客户群体分布广泛，细分龙头深度受益信创产业发展。公司处于存储产业链中游，受益于信创产业提速机遇及中国大陆、中国台湾存储产业链的 蓬勃发展，产业地位不断提升。上游衔接存储原厂，以模组/产品开发及品牌运营能力向下 游消费级、工规级及车规级提供定制化存储产品，是模组/产品开发环节的龙头企业。上游 原厂方面，大陆厂商长江存储、长鑫存储主攻大容量存储产品，销售规模已超百亿跻身国 际第一梯队，南亚、华邦、旺宏等具备制造能力，主攻中小容量存储稳居国内第二梯队， 普冉股份、复旦微电、聚辰股份等以 Fabless 为经营模式主攻小容量存储产品，销售规模 也可达十亿级别。

下游方面，国内华为、小米等均跻身无线通信及消费电子前列，市场广 阔。当前存储行业是国家的重点投入产业，大基金支持下公司或将更快发展为中国存储出 海口，达到一定的市场规模和价值，推动存储供应链国产化，以信创产业链投资为纽带发 挥公司价值。公司在由德本咨询、eNet 研究院、互联网周刊联合评选的《2021 信创产业 独角兽 TOP100》中排名第十名，该榜单囊括了在信创相关细分领域创新性强、市场潜力 大的国产化软硬件产品和解决方案供应商。

公司与供应商合作长期稳定，互利互惠。一方面，公司能帮助原厂晶圆向市场渗透， 另一方面，以大宗方式与存储产品交易也使得合作供应商锁定了芯片设计和晶圆制造环节 的毛利。目前公司已与主要存储晶圆原厂、主控芯片厂及封装厂建立了长期稳定的合作伙 伴关系。在存储晶圆领域合作企业为例，公司近年来与国内晶圆原厂长江存储、长鑫存储 开展业务合作，且与全球最大的存储晶圆原厂三星电子合作历史超过 20 年，与全球领先 的存储晶圆原厂美光科技、西部数据亦有超过 10 年的合作历史。

产品应用领域全面，下游客户数量众多增厚公司抗风险能力。公司经过多年技术积累 与品牌沉淀，已与华勤技术、闻泰科技、龙旗技术、天珑移动、沃特沃德、中诺通讯、禾 苗通信等行业领先的整机 ODM 厂商形成稳定的合作关系，行业类存储器进入中兴、三星 电子、TCL、创维、海尔、萤石网络、联想、华硕、奇瑞、长安等行业龙头客户的供应链 体系。消费类存储器客户包括京东、亚马逊、沃尔玛、BestBuy 等知名零售商。2021 年公 司向前五大客户销售占比合计为 34.88%，公司不存在对单一客户有重大依赖的情况，抗风 险能力强。

1.4.财务分析：营收稳定高增长，不断优化产品技术提高毛利率

2019-2021 年，公司财务状况持续优化、盈利能力持续向好。三年分别实现营业收入 57.21/72.76/97.49 亿，年均复合增长率达 30.41%，营业收入保持持续稳定增长，分别实现 归属于母公司股东的净利润 1.28 亿/2.76 亿/10.13 亿，销售规模快速增长。受下行周期及 基期高基数影响，公司 2022 年前三季度营收及净利润同比下降。伴随供应收紧及需求释 放，预计 2023 年存储行业或迎转折契机，公司业绩有望实现突破。

2019-2021 公司利润率水平逐渐爬升，持续缩短与同业毛利率平均水平差距，2022 年受行业周期影响有所下降。2019-2021 年，公司毛利率与行业均值的差距缩小，现已反 超威刚、海盗船等同业可比公司。2020 至 2022 年前三季度，公司毛利率涨跌幅分别为 +1.25/+8.01/-4.49pct，净利率涨跌幅分别为+1.57/+6.59/-7.23pct，2021 年高利润率主要 系行业供求紧张，存储产品市场价格整体提升所致。

分产品来看，公司嵌入式存储仍是收入增量最大贡献来源，2021 年，公司嵌入式存 储/固态硬盘/移动存储/内存条收入占比分别为 49.0%/21.6%/22.7%/6.7%，嵌入式存储和固态 硬盘贡献公司整体收入超 65%，且 2021 年度二者分别贡献收入增量15.0亿元和2.1亿元， 是营业收入增长的主要来源。内存条是公司 2020 年新推出的产品，尚处于市场推广期， 收入贡献较小，增长较快。 除内存条产品尚处推广初期，公司其他各类产品毛利率总体皆呈上涨趋势。各产品毛 利率变动原因：内存条为2020年推出，市场拓展初期毛利率相对较低。移动存储毛利率 上升，主要系因公司朝全球知名OEM客户聚焦，低附加值产品被逐步淘汰。嵌入式存储 产品2020下降系因当年消费电子产品需求萎靡公司相应进行了价格调整；固态硬盘毛利 率提升因毛利率相对较高的 Lexar 产品占比提升和客户结构调整共同导致。

公司三费水平总体较为稳定。公司管理费用率总体较高，财务费用率较低。随着公司 业务规模的不断扩大，管理人员数量增长的同时公司经营业绩逐年提升，管理人员绩效薪 酬相应有所增加。但随着公司营业收入规模增长，受规模效应影响管理费用率确有下降。 2021 年度，公司财务费用增长较快，主要是受人民币升值影响，汇兑损失增长较多。

1.5.研发情况：研发力度持续加大，维持核心竞争力

公司积极投入研发，研究人员数量和占比同步提高。2019 年至 2021 年，公司研发 人员为 299 人、501 人和 800 人，占员工总人数比例从 35.55%提升至 46.95%和 53.94%， 公司研发人员数量和占比都持续上升。公司 eMMC 存储器领先市场，技术成果丰富驱动公司价值提升。截止 21 年末，公司 获得境内外有效专利 438 项和软件著作权 67 项。公司开发的一体化 U 盘模块(UDP)和 SSD 模块(MiniSDP)改变了 U 盘和 SATASSD 产业生态，为公司带来业务规模和市场价值。2011 年，公司开始自主开发 eMMC 存储器，2019 年开始规模量产工规级、车规级 eMMC 存储器，在国产 eMMC 存储器领域具有市场领先地位。

存储芯片测试、封装设计技术能力先进，掌握市场先机。公司围绕存储芯片测试技术 取得 15 项发明专利，存储芯片封装设计技术取得 12 项发明专利。在存储芯片测试方面， 公司自主设计 30 余种核心测试算法及测试软件，包括测试扫描算法、多平台测试软件等； 创新测试机台、测试治具以及自建测试产能，极大提升生产测试效能存储芯片封装设计； 创新 SiP 封装方案，持续推出各类创新形态产品。

固件技术能力雄厚，奠定公司 Flash 产品性能领先地位。以固态存储为例，自下而上 看，NAND 为基础层，其次为 SoC 主控芯片，硬件层包含信号、功耗、散热等独特设计， 外形不一，固件(Firmware)是 Flash 存储器的管理驱动算法，是存储器运行的指挥系统，驱 动着主控芯片管理存储芯片。固件层和软件层可根据客户实际工作负载进行调优，满足其 高度定制化需求。作为驱动 Flash 从晶圆到产品的必备技术，固件的管理水平高低决定晶 圆性能能否得到充分调度、新产品上市周期和成本结构、存储产品能否与 HOST 系统平台 充分兼容，更直接影响特色化存储性能/功能是否可以实现。公司具备良好的固件实力：

1）前端晶圆分析能力:公司晶圆分析核心团队具有 10 年以上专业经验,部分成员具有 NAND Flash 晶圆原厂研发与测试经验。 2）固件算法开发能力：公司拥有国内领先地位的算法团队,2010 年进入固件研发领域。 固件开发团队共 270 人，截止 2022 年 7 月已获得围绕固件算法的 73 项发明专利。3）固件验证测试能力：研发团队与一线技术支持(FAE)紧密结合，大规模应用案例使 得公司形成了持续的验证与改进能力。

1.6.募集资金：投入存储产业园建设，提高研发能力

首次公开发行股票募集资金重点投向江波龙中山存储产业园建设、企业级及工规级存 储器研发项目、小容量 Flash 存储芯片设计研发项目，拟投入募集资金合计 19.2 亿元。为 保证募投项目顺利推进，2022 年 8 月，公司确定募投项目的实施主体为全资孙公司中山江 波龙、江波龙数字技术、江波龙微电子，拟使用部分募集资金一次或分次逐步向募投项目 实施主体增资或提供借款。9 月公司拟向“江波龙中山存储产业园二期建设项目”的实施 主体中山江波龙增资人民币 7 亿元。

1)江波龙中山存储产业园二期建设项目。有助缓解产能瓶颈，大幅提高公司交付能力。公司原有中山一期自主测试中心，除部 分产品委外封测外，公司中山测试产线也针对性满足部分客制化产品和有技术保密的需求。 二期项目有助于缓解现有成品测试产能瓶颈，减少核心技术外泄的风险。自有测试能力是公司产品迭代时保证性能的坚实支撑。公司 FORESEE DDR4 产品经过 高温老化、高温压力测试、性能测试 3 大类，共 40 多个子测试项的测试，测试基于 10nm ASIC 芯片测试方案，在高速高频、大规模、低功耗的自动化测试机台 LS428 进行，公司研 发的直接进行高温测试的测试座能实现 0~125℃线性升温而无需将芯片取下后送入高温箱 测试。

2）企业级及工规级存储器研发项目。有助公司抢占行业战略制高点，快速形成企业级及工规级存储器研发能力。企业级及 工规级存储器研发有助进一步培育公司优势产品，提升公司品牌影响力。

2.eMMC销量稳居全球前列，UFS+LPDDR4X/5持续发力

2.1.存储产品品类丰富，公司产品应用领域广阔

存储器市场未来潜力较大，2021-2027 CAGR 可达 8%。据 Yole 统计，存储器总体市 场空间将从 2021 年的 1670 亿美元增长至 2027 年的 2630 亿美元，年复合增长率为 8%。 从市场规模来看， 2027 年全球集成电路存储芯片市场中， DRAM 将以 1580 亿美元的规 模将保持存储芯片领域最大细分市场的地位，约占据存储市场半数以上的份额，CAGR 约 9%；其次是约为 960 亿美元市场的 NAND FLASH，CAGR 约 6%，NOR FLASH 市场份额相 对较小，预计 2027 年时将达到 49 亿美元的规模，CAGR 约 6%。

存储器可以按照断电后是否能保存数据分为易失性存储器、非易失性存储器两类。易失性存储器以动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）代 表，二者均具备高读写速度。其中 DRAM 存储单元仅需一个晶体管和一个小电容，而每个 SRAM 单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高，一般分别用作主存 和缓存。 非易失性存储器包括以 NOR FLASH 和 NAND FLASH 为代表的传统存储器和其他新型存储器。NOR FLASH 的容量较小且写入速度极低，但读速较快，具备芯片内执行的特点， 适合低容量、快速随机读取访问的场景；NAND FLASH 的容量大成本较低，但读写速度极 低，一般用于大容量的数据存储。

1）NAND FLASH。NAND 闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。 作为通用型非易失性存储芯片的一种，其存储阵列是由存储单元通过串联方式连接而成， 以页为单位进行读写操作，以块为单位进行擦除操作，因此具有存储容量大、写入擦除速 度快等特点。在这种设备中，工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面，而根据 浮置栅极中存储的电荷类型，便可进行存储编程 (“1”) 和擦除 (“0”) 信息的操作。同 时，在一个单元内存储 1 个比特的操作被称为单层单元 (SLC)。氮化硅内部捕获的电子数 量与单元晶体管的阈值电压成正比，因此，当俘获大量电子时，即实现了高阈值电压；捕 获少量电子会造成低阈值电压。

依据是否带有控制器，NAND FLASH 产品可划分成不同形态。其中，带控制器的产 品包括模组类和芯片类。模组类产品指 TF/SD 卡、SSD、U 盘等，作为外置存储需要随时 插拔更换，不需要高温回流焊。另一类是 SD NAND、eMMC、SPI NAND 等芯片类产品， 内部都带了针对 NAND Flash 的管理机制，可直接高温回流焊接在 PCB 板上的内置存储， 因而需要满足耐高温的要求。但无论是 TF 卡，SD NAND 还是 eMMC，都内置有 NAND Flash 晶圆、NAND Flash 控制器和 Firmware。而不带控制器的 Raw NAND 本质上是把 NAND Flash 晶圆的 Pad 点引出来，封装成 TSOP48/BGA 等颗粒，带有容量可灵活选择的特征。

eSSD, cSSD 以及和 UFS (Mobile)三类产品市占率合计超八成。不同形态的 NAND Flash 产品市场占有率不同，其中 UFS 和 SSD 市场占有率较高，公司布局的 eSSD 研发,特 别针对 PCle 4.0 企业级 SSD 产品,面向企业级(数据中心、云计算)等市场,而 UFS 产品也已经 形成了完整梯队。

依据内部材质的不同，NAND FLASH 又可以分为 SLC、MLC、TLC 和 QLC，本质区 别在于最小的存储单元内能存放多少 bit 的信息，NAND 闪存的编程方法受其应用领域所 决定的信息量、性能和寿命要求的影响。通过将捕获的电子数量分成三份，并将每份的中 间电压施加到单元栅极上，可以检查电流的流通状态，从而确定所捕获的电子数量。在这 种情况下，若产生四单元状态并存储 2 个比特的信息时，此类状态则被称为 2 比特多层 单元（MLC）；若产生八单元状态并存储 3 个比特的信息时，此类状态则被称为三层单元 (TLC)；若产生十六单元状态并存储 4 个比特的信息时，则称为四层单元 (QLC,)。单元状 态越密集，一个单元内便可储存更多信息，QLC NAND 闪存能够以 67.5% 的芯片尺寸存 储与单层单元(SLC) NAND 闪存相同数量的信息。

主流 NAND 芯片因存储密度的倍增而更具优势。SLC 能存放的 bit 最少，QLC 能存放 的 bit 最多，依次为 SLC(2bit)/MLC(4bit)/ TLC(8bit)/ QLC(16bit)，晶圆存储密度翻倍使得不 同产品的容量也随之有别。以 TF 卡为例，其就是一种内置有 TLC 或 QLC 晶圆的产品，其 内部容量最高可达 256GB，而仅适用 SLC 的 SD NAND 容量最高仅有 4GB。除内部使用的 晶圆类型不同以外，不同的 NAND FLASH 产品的接口、大小、封装方式也都各有区别。

NAND Flash 市场集中度高，总体规模波动上涨。NAND 市场主要由三星、铠侠、海 力士等海外大厂占据主要份额。与此同时，NAND 规模总体波动上行，2012 年至 2018 年， NAND Flash 市场规模总体保持稳定增长，2019 年曾因存储原厂基本完成 NAND 工艺升级 和产能部署,市场价格出现拐点，并在 2020 年遭受疫情冲击后仍然保持增长态势。据 Yole 预测，2022 年，NAND 闪存市场将增长 24%，市场规模有望达到 830 亿美元，再创历史新 高。

2）DRAM。DRAM 属于可以随时读写的随机存取存储器（RAM）的一种。DRAM 的优势在于结 构简单、读写速度块、单位体积的容量较高、成本竞争力高。因此，DRAM 在市场上广受 欢迎。而 DRAM 结构简单，依赖电容器（Capacitor）存储数据；由于电容器或多或少有漏 电的情形，因此随着电量的流失，数据也会流失 。为弥补这一 波动性 （volatility），需 要定期读写数据，即所谓的“刷新（refresh）”。 DDR 产品能满足处理海量数据的需求。为提高吞吐量，CPU 核心急剧增加，服务器 从 4 核（core）增加到 64 核，客户对内存带宽的需求也在提高。DRAM 行业由此开发出 数据传输速率为 SDR 的两倍，即一个时钟周期内传输两次数据的双倍数据速率同步 DRAM （DDR DRAM）。多年来，业界不断迭代更新，推出 DDR2、DDR3、DDR4 和 DDR5 等读写 速率不断加快的新产品。

移动应用存储器领域的发展能适应手机、平板电脑等移动市场的快速增长。低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器（LPDDR DRAM）产品通过降低待机模式下的泄漏电流来最大程度地减少电池消耗。LPDDR 在过去几年不断地更新迭代。从LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4到LPDDR5，每一代的时钟速度都翻了一番，电源效率（每个带宽的功耗）也得到了改善。

DRAM 晶圆市场集中度高于 NAND 市场，预计 2022 年市场规模超千亿美元。根据 闪存市场公众号，以销售份额计，2021 年 Q4 三星电子、SK 海力士、美光科技三家企业 在全球 DRAM 市场合计占有份额约为 94.4%。2018 年 DRAM 市场曾达到顶峰，此后迎 来拐点。DRAM 市场集中度更高，主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为 脆弱，存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018 年 Q4 后 DRAM 与 NANDFlash 同受疲软需求拖累有所下滑，此后再度有恢复性增长。据 Yole 预测，2022 年全球 DRAM 市场将同比增长 25%，市场份额有望达到 1180 亿美元，突破千亿美元 区间。

DRAM 市场中 LPDDR 和 Server DRAM (以 RDIMM 为主)占据多数份额，二类产 品市占率合计可达 65%以上。基于领先的存储芯片测试能力和品控能力，公司 LPDDR 产 品线近年来迅速实现品质化量产并能满足客户群定制需求，且布局的企业级 RDIMM 内存 条已经开始批量出货,主要面向企业级服务器( Server)领域。

2.2.嵌入式存储：eMMC为公司主力产品，UFS匹配未来主流存储需求

嵌入式存储产品贡献公司近半收入，近三年产品销售量价齐升。2019-2021 年间，公 司嵌入式存储产品销售单价分别为 13.99/16.56/22.63 元，价格持续提升。

（1）eMMC、UFS。eMMC、UFS 是半导体存储的核心产品类别之一，应用于智能手机、智能电视、平板 电脑、机顶盒、智能可穿戴设备等领域。eMMC 作为大容量 NAND Flash 嵌入式存储器在 智能手机的存储模块被广泛使用。 近年来为满足以高端智能手机为代表的市场需求，公 司亦推出了 UFS 存储器，为客户提供传输速率更高的存储方案。 1）eMMC 存储器是公司核心产品之一，目前公司能够大规模供应最新的 eMMC5.1 产品。公司针对工业控制、汽车电子等高端应用场景推出工规级、车规级 eMMC，产品实 现了良好的数据吞吐的同时有效降低了数据出错和丢失的风险。公司车规级 eMMC 符合 汽车电子行业核心标准体系 AEC-Q100 认证；工规级和车规级 eMMC 可实现最低-40℃、 最高+105℃的宽温域作业。

2）Subsize eMMC：是公司研发的尺寸更小、功耗更低的创新型 eMMC 产品。产品 优势在于尺寸更小，减少空间占用、兼顾 JEDEC 引脚定义的创新型 eMMC 产品；能向下 兼容行业标准协议,更小更薄；相对于标准尺寸 eMMC，FORESEE Subsize eMMC 可节 省 40-55%的电路板空间。 3）UFS：是公司开发的大容量，高性能产品，更低功耗能为用户提供更长的续航时 间、兼容最新 UFS2.2 标准，支持 UFS 2.2/UFS 3.1 新特性 write booster、HBP 等，独创的 数据加速技术和数据回收技术能确保系统的流畅性，主要用于中高端智能手机。嵌入式存储市场容量持续增长，eMMC 和 UFS 是核心。目前，eMMC 和 UFS 组成的 嵌入式存储市场市场容量持续增长，UFS3.x+eMMC5.x 占据市场七成。UFS 是未来主流存 储配置，据 Omdia 数据，UFS 在嵌入式存储中占比逐步扩大，到 2025 年份额将超过三分 之二。

嵌入式存储是公司主力产品线，公司 eMMC 产品市场份额位列全球第七名。根据闪 存市场发布的 20 年 eMMC 嵌入式存储市场份额排名，公司 eMMC 产品市场份额位列全 球第七。 公司瞄准 UFS 产品持续发力，公司现有产品以 eMMC+LPDDR4X 为核心，未来升级 为以 UFS+LPDDR4X/5 为方向，目前已量产 UFS2.2 产品，UFS 3.1 产品也处在研发中，产 品已形成完整梯队。

江波龙把握汽车存储先机，正式发布中国大陆首款车规级 UFS，为汽车厂商率先提供 更符合高阶汽车应用场景的存储产品。在传输数据方面，FORESEE 车规级 UFS 2.1 写性能 比 eMMC 高出 1.5 倍，读性能高出 2.5 倍。UFS 3.1 读性能相比 eMMC 提高了 6 倍以上， 写性能也高达 4 倍之多。IOPS 方面，UFS 与 eMMC 相比，更是达到数十倍的差距，能够 有效降低传输延迟，从而提升车载应用的存储速度。此外，车规级 UFS 封装与 eMMC 尺 寸保持一致，便于有需要的汽车厂商无缝切换。

（2）SLC Nand。SLC NAND 微存储器是应用于网络通信设备、物联网硬件、便携设备等消费及工业 应用场景的小容量 NAND Flash 存储器。公司提供多种电压、多种封装、多种接口的多型 号微存储器，产品已通过 Broadcom、紫光展锐等 20 家主流平台认证和近 100 个主控 型号验证，兼容性较强。 公司微存储器能够满足空间受限场景的应用需求。公司上海研发中心主要聚焦 SLC NAND Flash 等小容量存储芯片设计，产品经过 50 大项和 80 子项全面测试，DPPM（每 百万缺陷机会中的不良品数）小于 100，性能与稳定性较为突出；T-Flash 产品采用小型 化 LGA8 8*6mm 封装，节约 PCB 空间。截止 2022 年 7 月，公司已有 4 款 SLC 存储芯片 进入取得阶段性研发成果。1Gbit SLC NAND Flash 产品已向机顶盒、网通设备、监控设备 客户小批量出货，与公司既有的产品线形成协同效应。

（3）ePoP、eMCP。ePoP 和 eMCP 是面向尺寸受限的应用场景开发的小尺寸或高集成嵌入式存储器。 ePoP 将存储芯片贴片于 CPU 表面以减少芯片面积占用，而 eMCP 是利用多芯片封装技 术将 eMMC 存储晶圆与 LPDDR 存储晶圆集成封装以减少对 PCB 载板的面积占用。 公司具备 ePoP 集成封装设计能力，品质管控能力能够满足 ePoP 的量产要求，自主 开发的固件能够实现高性能与低功耗的有效平衡。公司于 2015 年开发第一代 eMCP 产 品，最新一代 eMCP 产品集成封装 eMMC5.1 与 LPDDR4X，产品适用于智能手机、平板 电脑。 ePOP3 更适用于智能穿戴、教育电子等对于小型化、低功耗有着更高要求的终端应用， 满足设备对于储存及缓存数据需求，面对集成度较高的设备均能够轻松面对。

公司 FORESEE ePOP3 轻装上阵，有限空间创造无限可能。ePOP3 将 eMMC 与 LPDDR 整合在同一封装内，目前提供市场主流 8GB+8Gb 和 8GB+4Gb 的容量组合，最大厚度控制 在 0.9mm 内，并搭配低功耗模式（对比正常模式，功耗最大可降低 30%），有效提升终端 设备的续航能力。其中，NAND Flash采用高性能闪存芯片，DRAM 速率最高可达1600Mbps， 平衡性能、耐用性与稳定性的要求，实现 1+1 大于 2 的效果。产品具备以下突出优势： 1） 该产品搭配的 Flash 相对于常规的 TLC Flash，在寿命及稳定性上都有较大优势。 2） DRAM 采用新一代 20nm 制程，对比上一代旧的 30nm 制程，在成本可控的前提 下，性能得到进一步提升。 3）节省终端设备 PCB 空间 40%~60%。ePOP3“二合一”的封装技术集成了 RAM 和 ROM，并可搭载于兼容主机 CPU 的上方，优化了 PCB 板走线设计，大幅度节省装置内部 空间。

4）优化终端客户的采购物料清单。ePOP3 采用 TFBGA 堆叠封装技术，可为客户从嵌 入式多媒体芯片和动态随机存储器（DRAM）两种物料采购简化至单一物料采购，精简了 元器件的供应链条，在供应周期可控的同时降低了成本。 5）全面软硬件测试方案带来“质”的飞跃。FORESEE ePOP3 采用了江波龙自主研发 的 SLT 芯片测试方案，创新地达成了在同一个产品里面 eMMC（FT、RDT）和 LPDDR 高频 率同时进行大规模测试，批量自动测试机台同测数可达 256 颗且可拓展，为产品质量保驾 护航。

（4）LPDDR。LPDDR 兼具高性能及低功耗的优势，是低功耗的 DRAM 存储器，主要应用于智能 手机、平板电脑等功耗限制严格的消费电子产品，DRAM 存储器无需主控芯片及固件驱动， 在应用技术层面的核心竞争力体现为存储芯片测试技术能力。 LPDDR 搭配自主开发的测试技术,保证产品品质稳定可靠。公司基于 10nm ASIC 芯 片测试方案创新定制了高速、高频、大规模、低功耗的 LPDDR 测试机台，并自主开发测 试程序，可在常温及高低温环境下对 LPDDR 进行性能测试与筛选。在产品符合 JEDEC 标准的基础上，公司还为客户提供额外的芯片仿真测试、信号完整性测试、失效分析、高低 温测试、老化测试及跌落可靠性测试等特色测试服务。

公司 LPDDR 产品线近年来迅速实现品质化量产并满足客户群定制需求。公司 LPDDR 产品的容量覆盖 4Gb 至 64Gb，LPDDR3 频率可达 800MHz,LPDDR4x 频率可达 2133MHz, 作业温域为-25℃~85℃，已获得联发科（Media Tek， MTK）、紫光展锐、Amlogic 等平 台认证，在智能手机、平板电脑、机顶盒、车载导航等领域获得行业优质客户青睐。

（5）其他复合产品 1）eMCP：是集成了 eMMC 和 LPDDR 的复合产品，满足智能设备小型化和轻薄化 要求的 PCB 设计能减少空间占用，在小体积内实现更高性能、更大容量、更低功耗。具备 以下突出优势： ①兼容性好，应用广泛：采用 eMMC 5.1 协议，与各平台高度兼容;有 LPDDR3 和 LPDDR4x 接口可选，支持当前主流 SOC 平台; 与众多平台建立了长期稳定的合作关系，从 产品早期便进行了充分验证，可协助客户顺利导入量产。 ②可在线升级，减少售后成本：可在电路板上即时对 eMCP 进行固件程序升级，大大 降低售后及维修的繁琐工序和费用。 ③空闲块加速，高品质无损流畅体验：把空闲块用于数据缓存，优先使用 pSLC，可 大幅提升性能，提升 IOPS，保障系统流畅性。

④掉电保护、固件备份，产品能在异常断电时提供保护，在数据丢失前搬移重写数据， 保障客户数据安全。 2）uMCP：是集成了 UFS 和 LPDDR 的复合产品，简化系统的 PCB 设计统一能减少 空间占用，在小体积内实现更高性能、更大容量、更低功耗。具备以下突出优势： ①兼容最新 UFS2.2 标准，公司独创的数据加速技术和数据回收技术确保系统的流畅 性 ②涵盖 LPDDR3 和 LPDDR4x 产品。LPDDR3 频率可达 800MHz，LPDDR4x 频率可达 2133MHz，广泛应用于智能手机、平板等终端应用。 ③高性能，低功耗：产品符合 JEDEC 规范，具备低功耗、小体积的特点;采用国际知 名封装厂的先进封装工艺，搭配自主开发的测试技术，保证产品品质稳定可靠。

2.3.移动存储：依托Lexar品牌聚焦全球高端消费，市场份额排名不断提升

公司移动存储类产品 2021 年销售金额大幅提升，19-21 年产品销售单价也有一定成 长。公司销售的移动类存储产品主要包括有 MicroSD、USB、存储卡等。

1）Micro SD。公司工规级存储卡选用高可靠度 Flash，以工规级标准贯穿产品全过程，符合高可靠 性和高耐久度的要求。产品具备高可靠性、高耐久度，全系列产品均超过3000次的 P/E Cycles，通过pSLC技术可实现30000 P/ECycles超高耐久度，耐高温、低温以及高低温冲 击，可实现-40℃~85℃宽温下长期稳定工作。具备断电保护功能，以无人机上应用产品为 例，即使无人机遇到空中意外，断电保护功能依然可保护存储卡数据的完整不丢失。

FORESEE 为无人机领域提供了多种规格和不同形态的 Micro SD 存储产品。无人机被 应用在安防、消防救灾等领域时，需要在高温、落水、撞击、长时间工作时保证数据的写 入的稳定性和高可靠性要求，还需要满足无人机作业时续无人机大量的数据吞吐要求，一 台支持 4K 视频拍摄的无人机 30 分钟的飞行产生超过 20GB 的数据，公司存储器的擦写速 度和容量、可靠性、数据安全性都达到了高标准、高要求。

2）USB、储存卡。常规概念中的移动存储主要指 USB 闪存盘（“U 盘”）、存储卡及便携式移动固态硬 盘等便携式移动存储器，主要应用于安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领域。 公司 2008 年创新开发 UDP 产品，通过封装设计创新将 U 盘核心元器件一体封装形成 模块，极大简化 U 盘后端生产工艺，改变了国内 U 盘生产形态。 旗下国际高端消费类 存储品牌 Lexar（雷克沙）专注专业影像存储、移动存储、个人系统存储等领域，广泛满 足全球消费者的存储需求。 Lexar 产品在摄影、影音、高端消费存储场景(如户外运动设备)领域具有卓越声誉,每 年举办的Lexar全球摄影大赛吸引众多专业摄影爱好者参与,品牌内涵与价值在全球,特别是 欧美市场,具有广泛认可度。

Lexar 产品阵列不断丰富，市场份额持续提升。Lexar 现已推出多款旗舰产品，在大容 量产品方面，成功推出 1TB SD 卡与 Micro SD 卡及 1TB USB3.2 闪存盘；在高速传输产 品方面，推出读/写速度 250MBps/120MBps 的 SD 卡、读/写速度 270MBps/150MBps 的 Micro SD 卡及读/写速度 300MBps/250MBps 的 USB 闪存盘；并有指纹识别闪存盘、与 nano SIM 卡同尺寸的 nCARD、256 位 AES 加密 U 盘等高端创新产品。根据 Omdia IHS Markit 数据， 2021 年 1-9 月， Lexar 存储卡全球市场份额位列第二名、 闪存盘（ U 盘）全球市场份额位列第三名。

2.4.固态硬盘：可靠性满足工规需求，Lexar SSD出货量位列全球第七

剑指高端消费，固态硬盘（SSD）销售规模稳步成长。公司固态硬盘类产品销售单价 明显高于嵌入式存储和移动存储类产品，固态硬盘产品聚焦高端消费，产品定位十分明晰。 2019-2021 年公司产品销售单价均超 140 元，并曾于 2020 年达到 157.88 元的高点。

外购品牌 Lexar SSD 出货量居于全球前列。固态硬盘（SSD）是按照 JEDEC 有关接 口标准制造的大容量 NAND Flash 存储器，通常包含控制单元（主控芯片）和存储单元 （NAND Flash），有时亦会同时搭载 DRAM 提升读写速度。 公司近年来持续拓展企业级 和高端消费级 SSD 市场。公司目前已经成功推出多款高速 SSD 产品，覆盖 SATA 和 PCIe 两大主流接口，可应用于笔记本、台式机、一体机、视频监控、网络终端等领域。 根据 Trend Force 发布的 2019 年全球 SSD 模组厂自有品牌渠道市场出货量排名，公司旗下 Lexar 品牌 SSD 出货量位列全球第七名。

自有品牌 FORESEE 固态硬盘产品进展同样迅速。FORESEE 目前拥有 2.5 inch、mSATA、 M.2、BGA 四种形态的 SSD 系列产品，覆盖 SATA、PCIe 两种主流接口，能够显著提升台 式机、个人和商用电脑的性能，在企业级、服务器系统和数据中心等应用领域也有着优异 表现。 顺应国产化趋势加快导入进程，产品现已达到多项安规认证要求。FORESEE 工规级 SSD已通过了ROHS和REACH两项环保认证及CE和FCC等四项安规认证，并且达到欧盟、 美国、韩国、中国台湾等主要国家及地区的市场准入门槛，除了在产品性能和可靠性上符 合工业标准外，其安规和环保认证同样也能够满足工业/汽车电子市场的要求。

2.5.内存条：打通公司业绩的增长引擎，DDR5产品受益Intel、AMD新平台发布加速渗透

内存条系公司 2020 年后打造的新产品业务线条，该品类产品 2021 年销售收入同比 +166.3%，销量实现数倍增长。江波龙的 FORESEE 内存条有 U-DIMM、SO-DIMM、R-DIMM 多种形态，采用 JEDEC 标准设计规范，容量涵盖 4GB/8GB/16GB/64GB，覆盖个人商用电脑、数据中心、商显设 备、安防监控、工业控制等领域，全面满足消费级、商用级、工规级和企业级（服务器） 等市场需求。

1）商用级。商用 DDR5 DIMM 实现了跨越式提升，性能稳定突出。Longsys DDR5 内存条顺利开 发出包括 U-DIMM 和 SO-DIMM 两个形态，其速率定义在 4800Mbps 的 2 Channel×32bit 全新架构产品原型。相较于 DDR4，DDR5 在功能和性能上都得到了显著提升，行业预估 速率和容量未来分别可达 6400Mbps 以及 64GB。商用 DDR4 DIMM 采用原厂战略级 DRAM 颗粒，涵盖主流产品规格，质量可靠。

2）工规级。公司工规级 DDR4 DIMM 为更严酷的应用领域打造安全、可靠、耐久的方案，中山存 储产业园全面实施硬件和材料的开发和选型，确保产品在各种极限环境下的稳定性和可靠 性。

3）企业级：AMD、Intel 面向数据中心发布/预发布处理器，公司商用储存品牌 FORESEE 将要推出企业级 DDR5 产品，迎合 DDR5 快速渗透趋势。根据 Tendforce，DDR5 相对 DDR4 在传输速度性能方面大概可提升 50%，未来伴随 AI 及深度学习需求，DDR5 有望进一步渗 透，预期 23H2 在服务器内存中占比可达 25%。根据物联风向公众号，AMD11 月举办发布 会推出基于 Zen4 架构的下一代 EPYC 霄龙数据中心处理器，代号“Genoa”。新款 CPU 支 持 12 条 DDR5 内存通道，而上一代仅支持 8 条 DDR4。至此，AMD 内存全面进入 DDR5 时代。此外，Intel 面向数据中心领域的 Sapphire Rapids 也将于 2023 年初发布。公司 DDR4 R-DIMM 金手指镀金按照业界主流标准，具备超低失效率和数据错误率，产品质量可靠。 旗下商用储存品牌 FORESEE 将要推出企业级 DDR5 产品。

消费级产品方面，江波龙旗下国际高端消费类存储品牌雷克沙（Lexar）以电竞为切 入点，提供高性能 DDR5 产品： 全球游戏市场 2019-2024CAGR 达 8.7%，2023 年即突破 2000 亿美元，亚太地区拥 有全世界最多的玩家、最大市场，2021 年中国游戏市场规模达 456 亿美元，超过美国。 根据 Newzoo，2021 年，全球游戏市场收入在 1.1%的小幅下滑后，将会迅速复苏并恢复其 增长趋势。2019-2024 年全球游戏市场将以十分健康的 8.7%复合增长率增长，到 2024 年增至 2187 亿美元，2023 年即突破 2000 亿美元门槛。2021 年，亚太地区拥有全世界最多 的玩家，占全球玩家总数的 55%。该地区的网民人数在全球网民数中的占比也与之大致相 当（54%），2021 年亚太地区游戏市场规模达 882 亿美元，占全球比重为 50%，其中中国 2021 年游戏市场规模达 456 亿美元，超过美国（391 亿美元）。

Intel、AMD 陆续上市支持 DDR5 标准主机，江波龙旗下国际高端消费类存储品牌雷 克沙（Lexar）以电竞为切入点，提供高性能 DDR5 产品。2022 年 PC 硬件迎来整体更新， 基于5nm Zen4架构的锐龙7000台式机处理器已发布，后续intel第13代酷睿处理器发布， 这代处理器会更好地支持 DDR5 内存。AMD 策略更为“激进”，锐龙 7000 平台放弃 DDR4 全面加入 DDR5 阵营。为了保证在高频运行下的性能发挥，公司旗下 Lexar 战神之刃 RGB DDR5 UDIMM 内存产品配备了全铝合金材质的散热马甲，散热效果更好。Lexar 战神之刃 RGB DDR5 UDIMM 内存采用严选高品质 DRAM 颗粒，配合新增 PMIC 电源管理芯片，实 现稳定的超频性能，运行频率高达 5600MHz/6000MHz。除此之外，这款内存还同时支持 Intel XMP 3.0 和最新的 AMD EXPO 超频技术，兼容新一代 Intel 与 AMD 主流平台。

新一代处理器及相关技术匹配助力 DDR5 产品发挥更好性能、降低使用门槛、提高渗 透率，根据 Trendforce，预计到 2023Q4，DDR5 在 PC 端渗透率将达 23%。锐龙新一代 处理器支持 JEDEC 标准的 DDR5-5200 内存，AMD 还专为 DDR5 内存“一键超频”推出了 EXPO(AMD Extended Profiles for Overclocking)技术，用户开启后就能让内存工作在最佳的 频率，可以大幅提升内存频率、降低内存延迟，从而获得更佳的游戏体验。根据 AMD，在 EXPO 技术加持下，1080p 游戏性能提升可达 11%，DDR5 内存延迟可降低到 63ns。

此外， 根据 AMD，该技术无需许可费，这意味着我们不仅可以在 AMD 平台上使用，未来也可能 在 Intel 主板上享受到价格更亲民的 DDR5 内存。此外，Trendforce8 月数据显示，2022 年第二季度以来，用于 PC 的 DDR5 比 DDR4 降价幅度更高（或一致），叠加新一代处理 器发布，有利于 DDR5 渗透率的提升，预计到 2023Q4，DDR5 在 PC 端渗透率将达 23%。

3.下游应用多点开花，推助公司业绩长期景气向上

全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势。半导体存储器作为电子系统的基本 组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据 存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基 本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总 体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。

2022-2023 年闪存/内存市场短期需求预判： 1）闪存市场短期需求预判。服务器需求支撑存储需求增长，江波龙或将受益企业级业务布局。根据集邦咨询， 2022/2023 年企业级服务器存储需求占比分别达 23%/25.7%，相比手机及笔记本电脑是重大 的需求支撑动能。从终端消耗的单位闪存容量来看，预计企业级服务器 2022/2023 年可分 别达 3.4T/4.2T。预期手机端需求有大幅度增长，笔记本电脑方面，成本降低诉求叠加消费 疲软双重因素影响下，2023 年平均容量需求增速仅为 9.7%。

预计 2022/2023 闪存年需求增速为 23.2%/29.4%，各下游领域主要呈现以下趋势：（移 动）手机方面，UFS/uMCP 受益 5G 发展渗透率将有较大幅度提升，200 层制程的初始出货 量增长带来内存 256G/512G 手机出货量的提升。消费级固态硬盘方面，看好消费级固态硬 盘需求扩大刺激厂商 QLC 方案推出，预期未来笔记本电脑以消费级固态硬盘 SSD 搭载为 主。企业级方面，英特尔量产支援 PCI5.0 界面，预期 2023 年产出重心以 128 层为主，主 力容量逐渐转向 4T/8T。

2）内存市场短期需求预判。车规需求增速保持强劲，根据 TrendForce 预测，23H2 或为整体存储需求转折契机 点，行业困境有望反转。22-23 年内存需求主要由行动式内存和服务器内存构成，合计占 比超过 70%，PC 由于疫情趋缓，占比有所降低，服务器受云端需求驱动变大。行动式内存 来自智能型手机应用，当前已面临天花板向上提升空间不大。绘图及利基型内存年占比稳 定在 13%左右，绘图方面的显卡需求不高。汽车需求是带动利基型内存增速大幅度提升的 主要原因。

从终端应用看： 1）汽车电子。工业存储是半导体存储的高毛利市场，工业应用场景对存储器性能稳定性具有更高要 求，要求存储器厂商具有更加领先的技术实力作为支撑,相应地,工业存储能够支撑更高的毛 利水平。汽车电子市场中,信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助(ADAS)系统中需要使用 的存储器数量持续增加,也将成为存储产业未来重要的增长引摩。 电动化、信息化、智能化、网联化发展推动汽车存储革命，未来汽车存储将由 GB 级 走向 TB 级别。从当前看，ADAS 系统、新一代中控系统，为实现车联网引入 5G 连接技术、 端边云和 OTA 等均为基础代码、数据与参数存储的载体。未来更丰富的娱乐系统，更强的 中控电脑和数字驾驶舱，更完备事件记录系统，更多的传感器和辅助驾驶决策将对存储空 间提出“TB 级”需求。

自动驾驶产生的海量数据将对存储的带宽和容量提出更高的要求，汽车存储芯片的价 值量会随之提升。根据 Semico Research，对 L1 和 L2 级而言，对于存储容量的需求差别 不大，一般配置 8GB DRAM 和 8GB NAND，而 L3 及以上级自动驾驶的高精度地图、数据、 算法都需要大容量存储来支持，一台 L3 级的自动驾驶汽车将需要 16GB DRAM 和 256GB NAND,一台 L5 级的全自动驾驶汽车估计需要 74GB DRAM 和 1TB NAND。根据美光科技及 中国闪存预计，L2/L3 级自动驾驶汽车对内存带宽要求约为 100GB/s，对 DRAM 和 NANDFLASH 的平均容量需求约为 8GB 和 25GB。

汽车升级给存储行业带来新的市场机遇。随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正 逐步完成由交通工具到移动终端的转变。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系 统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存 储容量也随之增长。根据 Gartner 的数据显示，2019 年全球 ADAS 中的 NANDFlash 存储 消费达到 2.2 亿 GB，同比增长 214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预 计至 2024 年，全球 ADAS 领域的 NANDFlash 存储消费将达到 41.5 亿 GB，2019 年-2024 年复合增速达 79.9%。

公司提前布局车规级存储产品，拥有强劲先发优势。公司于 2019 年下半年开始布局 车规级存储，目前，公司的车规级存储产品已经实现了量产出货，并通过了 AEC-Q100 可 靠性认证测试。此外，公司也是 AECC 车用边缘运算联盟的成员。在产品方面，公司将 UFS 车规级 eSSD、DRIMM 以及小容量自研存储芯片的设计作为未来产品开发和市场发展的动 力和方向；在客户方面，公司目前已和中国及海外超过 30 多家车企厂商合作。公司全面 质量管理打造优质车规级存储，提供全方位车载电子存储产品，并推动电子汽车存储产品 实现“互联网+”。综合以上，公司车规级存储产品布局已形成先发优势。未来，公司将持 续优化新兴的产品性能并进一步完善产品线。

2）手机通信。智能手机普及是 NAND Flash 市场发展的核心驱动力。随着移动通信技术的发展和移 动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是影响 NAND Flash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。随着 5G 逐渐普及，新一轮的换机周期 开启。据 Omdia（IHSMarkit）预测，2020-2025 年，5G 智能手机出货量年均复合增长率 （CAGR）将达到约 44.95%。

智能手机对于 NAND Flash 需求同时取决于单台手机的存储容量。手机 ROM 和 RAM 分别是嵌入式 NAND Flash 和 LPDDR DRAM 的核心市场,根据 Omdia（IHSMarkit）数据， 单台智能手机的 RAM 模块（LPDDR）和 ROM 模块（嵌入式 NAND Flash）容量均在经历 持续、大幅的提升，以公司主力出货的 NAND Flash 市场为例,2021 年末高中低端手机单机 平均 ROM 容量较 2019 年初分别增长 43.4%, 198.7%, 74.6%。RAM 扩容是 5G 手机 CPU 提升 处理速率的必要条件。

3）数据中心及服务器要求。数据增长为存储行业带来较大的需求空间。近年来，云计算、大数据、物联网、人工 智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际 数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计 2020 年达到 44ZB，我国数据量将达到 8,060EB， 占全球数据总量的 18%。数据上云背景下,数据中心的存储需求将持续扩张，带动 NAND Flash 向 IDC 市场的出货量自 2010 年以来保持稳定增长，据 Omdia (IHS Markit)预测, 2020至2025 年相关产品出货量年均复合增长率 CAGR 可达 33.2%。

4）PC 。个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一。近年来，随着 NAND Flash 单 位存储经济效益持续凸显，SSD 对 HDD 的替代效应显著。PC 性能和数据存储需求的持续 增长使得单台设备的存储容量需求持续增加。